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J-GLOBAL ID：201702262525101689   整理番号：17A0880570

超低電圧応用のためのボディバイアスを用いた集積化同期バックコンバータの効率改善【Powered by NICT】

Efficiency improvement of integrated synchronous buck converter using body biasing for ultra-low-voltage applications

著者 (3件)： Faraji Rasoul (Department of Electrical and Computer Engineering, Isfahan University of Technology, Isfahan 84156-83111, Iran) ,  Farzanehfard Hosein (Department of Electrical and Computer Engineering, Isfahan University of Technology, Isfahan 84156-83111, Iran) ,  Adib Ehsan (Department of Electrical and Computer Engineering, Isfahan University of Technology, Isfahan 84156-83111, Iran)
資料名： Microelectronics Journal  (Microelectronics Journal)
巻： 63  ページ： 94-103  発行年： 2017年 
JST資料番号： A0186A  ISSN： 0026-2692  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,45nm CMOS技術で200mV 1V入力と100mV 500mV出力をもつ超低電圧および低電力応用のための集積化同期DC-DCバックコンバータを提案した。提案した設計は,効率を高めるための上および下での運転(OUD)と適応ボディバイアス(ABB)法を用いた。提案した設計では,トランジスタの可能な最少数の制御回路はMOSFETの体に電圧を印加することによりその動作モードに依存して適応的にパワーMOSFETしきい値電圧を変化させるを提案した。提案した方法は,93%のピーク効率を達成する同時に伝導とスイッチング損失を改善した。提案した変換器はサブしきい値電圧と出力電流値の広い範囲でも許容できる性能と効率を示した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 運転モード ,  *効率化 ,  変換器 ,  制御回路 ,  CMOS ,  MOSFET ,  電流 ,  *電圧 ,  スイッチング損失
準シソーラス用語： サブ閾値 ,  閾値電圧 ,  パワーMOSFET ,  *バックコンバータ ,  *基板バイアス ,  *低電圧 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 集積DC-DC変換器 ,  モノリシック電源 ,  同期バックコンバータ ,  ボディバイアス ,  超低電圧変換器

分類 (2件)： 半導体集積回路  (NC03162T) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： 低電圧 ,  応用 ,  ボディバイアス ,  集積化 ,  バックコンバータ ,  効率改善