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J-GLOBAL ID：201702262541153405   整理番号：17A1810898

規則的に配列したInGaN/GaNナノ柱における誘導放出のランダムネス依存性と発生機構

Randomness dependence and generation mechanism of stimulated emission in regularly arranged InGaN/GaN nanocolumns

著者 (3件)： INOSE Yuta (Sophia Univ., Tokyo, JPN) ,  EMA Kazuhiro (Sophia Univ., Tokyo, JPN) ,  KISHINO Katsumi (Sophia Univ., Tokyo, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 56  号： 8  ページ： 082101.1-082101.6  発行年： 2017年08月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 二次元ナノ柱アレイにおける誘導放出現象に対する試料形状のランダムネス依存性を報告した。光ルミネセンスの波長選択性から,この誘導放出が分布帰還機構に明らかに関連していることが分かった。ランダムネスの程度が異なる二つの規則的に配列したInGaN/GaNナノ柱の放出挙動を比較することにより,ほとんど完全な試料であっても,試料の配列が少しでもランダムネスをもっていると,位置効果が支配的になることが分かった。いくつかのモードがナノ構造中のいろいろな領域に局在し,一部が空間的に重なり,とくにわずかに不完全な試料中では,それらが互いに競合する。このランダムネス依存性に加えて,光ルミネセンスの波数空間画像の観察により,結晶アレイ中の誘導放出現象は,試料のモードはランダムネスによるある程度の可変性をもってはいるが,フォトニックバンド端のBragg回折によって発生することを確認した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *窒化ガリウム ,  *インジウム化合物 ,  *ガリウム化合物 ,  *窒化物 ,  化合物半導体 ,  *多重量子井戸 ,  *ナノ構造 ,  *柱状晶 ,  配列 ,  *性質 ,  機構 ,  *光ルミネセンス ,  *誘導放出 ,  効果 ,  バンド構造 ,  レーザ ,  自然放出 ,  レーザパルス ,  モード競合 ,  *量子井戸レーザ
準シソーラス用語： Bragg回折 ,  III-V族半導体 ,  *ナノ柱 ,  バンド端 ,  フェムト秒レーザパルス ,  フォトニックバンド構造 ,  *ランダムネス ,  ランダムレーザ ,  位置効果 ,  規則配列 ,  *窒化ガリウムインジウム ,  発生機構 ,  *多重量子井戸レーザ

分類 (2件)： 半導体レーザ  (BD04070L) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S)

引用文献 (33件)：

• S. John, Phys. Rev. Lett. 53, 2169 (1984).
• S. John, Phys. Rev. Lett. 58, 2486 (1987).
• M. M. Sigalas, C. M. Soukoulis, C.-T. Chan, and D. Turner, Phys. Rev. B 53, 8340 (1996).
• C. Vanneste and P. Sebbah, Phys. Rev. E 71, 026612 (2005).
• T. Schwartz, G. Bartal, S. Fishman, and M. Segev, Nature 446, 52 (2007).

タイトルに関連する用語 (7件)： 規則 ,  InGaN ,  GaN ,  ナノ柱 ,  誘導放出 ,  ランダムネス ,  依存性