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J-GLOBAL ID：201702262604769407   整理番号：17A0946013

テープ基板上に作製された付着可能かつ可撓性の酸化アルミニウム抵抗性不揮発性メモリアレイ

Attachable and flexible aluminum oxide resistive non-volatile memory arrays fabricated on tape as the substrate

著者 (8件)： LEE Woocheol (Seoul National Univ., Seoul, KOR) ,  JANG Jingon (Seoul National Univ., Seoul, KOR) ,  SONG Younggul (Seoul National Univ., Seoul, KOR) ,  CHO Kyungjune (Seoul National Univ., Seoul, KOR) ,  YOO Daekyoung (Seoul National Univ., Seoul, KOR) ,  KIM Youngrok (Seoul National Univ., Seoul, KOR) ,  CHUNG Seungjun (Seoul National Univ., Seoul, KOR) ,  LEE Takhee (Seoul National Univ., Seoul, KOR)
資料名： Nanotechnology  (Nanotechnology)
巻： 28  号： 13  ページ： 135201,1-8  発行年： 2017年03月31日 
JST資料番号： W0108A  ISSN： 0957-4484  CODEN： NNOTER  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,市販されているスコッチ^Rマジックテープ(3M製)基板上に実現された酸化アルミニウム抵抗不揮発性メモリ素子について報告する。フレキシブルテープ基板上に8×8アレイの不揮発性抵抗メモリデバイスを作製した。テープ基板の物理的かつ熱的損傷を最小にするために乾燥および低温プロセスのみを活用してデバイスを作製した。メモリデバイスは,付着可能なテープ基板上にAu/Al₂O₃/Au/Al₂O₃/Al(50nm/20nm/20nm/20nm/50nm)の構造を有するAl₂O₃の二重活性層からなる。製造されたメモリデバイスは,約3.5Vで低抵抗状態になり,約5V後に負の微分抵抗領域で約10Vの高抵抗状態に変わり,典型的な単極性の不揮発性抵抗メモリ挙動を示した。テープ基板上のメモリデバイスは,10⁴の高いON/OFF比,200サイクル以上の読取り/書込みプロセスおよび平坦および屈曲構成の両方における10⁴秒以上の保持時間を含む妥当な電気的性能を示した。

シソーラス用語： *酸化アルミニウム ,  *不揮発性メモリ ,  *記憶素子 ,  基板 ,  *柔軟性 ,  テープ ,  *金 ,  *多層構造 ,  活性層 ,  電気抵抗 ,  *比率 ,  *保持時間 ,  安定性
準シソーラス用語： *抵抗メモリ ,  マジックテープ ,  二重活性層 ,  負の微分抵抗 ,  微分抵抗 ,  *オンオフ比 ,  サイクル安定性

分類 (1件)： 電子・磁気・光学記録  (NC06020F)

タイトルに関連する用語 (6件)： テープ ,  作製 ,  可撓性 ,  酸化 ,  アルミニウム抵抗性 ,  不揮発性メモリアレイ