TAKADA S. について
Univ. Tokyo, Tokyo, JPN について
YAMAMOTO M. について
Univ. Tokyo, Tokyo, JPN について
YAMAMOTO M. について
JST-PRESTO, Saitama, JPN について
BAEUERLE C. について
Univ. Grenoble Alpes, Grenoble, FRA について
BAEUERLE C. について
Inst. Neel, CNRS, Grenoble, FRA について
ALEX A. について
Ludwig-Maximilians-Univ., Muenchen, DEU について
VON DELFT J. について
Ruhr-Univ. Bochum, Bochum, DEU について
LUDWIG A. について
Ruhr-Univ. Bochum, Bochum, DEU について
WIECK A. D. について
Ruhr-Univ. Bochum, Bochum, DEU について
TARUCHA S. について
Univ. Tokyo, Tokyo, JPN について
TARUCHA S. について
RIKEN, Saitama, JPN について
Physical Review. B について
量子ドット について
Kondo効果 について
透過率 について
位相シフト について
ヒ化ガリウム について
化合物半導体 について
素子構造 について
くりこみ群 について
総和則 について
量子干渉効果 について
Friedel総和則 について
Kondo温度 について
ヘテロ構造 について
13-15族化合物を含む半導体-半導体接合 について
相関 について
量子ドット について
透過率 について
位相シフト について
低温 について
挙動 について