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J-GLOBAL ID:201702262762679162   整理番号:17A1358570

弱い共振器内分離を用いたフィードバック非感受性集積半導体リングレーザの概念【Powered by NICT】

Feedback insensitive integrated semiconductor ring laser concept using weak intracavity isolation
著者 (4件):
資料名:
巻: 2017  号: NUSOD  ページ: 183-184  発行年: 2017年 
JST資料番号: W2441A  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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外部光フィードバックは大幅に半導体レーザ性能に影響する。妥当な挿入損失をもつ強い光アイソレータは材料不適合に起因するフォトニック集積回路では入手できない,フィードバック効果を抑制するためのレーザ共振器に外部アイソレータの使用を妨げる。本研究では,10dB以下の共振器内分離による半導体リングレーザのフィードバック感度を,反応速度式解析を用いて研究した。相対強度雑音と線幅は 10dB以上のフィードバック強度に鈍感であることが分かった。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】
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, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (1件):
分類
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半導体レーザ 
タイトルに関連する用語 (5件):
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