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J-GLOBAL ID：201702262815730692   整理番号：17A0381391

振幅安定周波数合成のための結晶カットパワー無依存シリコン【Powered by NICT】

Power-insensitive silicon crystal-cut for amplitude-stable frequency synthesis

著者 (3件)： Ghatge Mayur (Interdisciplinary Microsystems Group, University of Florida Gainesville, FL, USA) ,  Karri Pratyusha (Interdisciplinary Microsystems Group, University of Florida Gainesville, FL, USA) ,  Tabrizian Roozbeh (Interdisciplinary Microsystems Group, University of Florida Gainesville, FL, USA)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： MEMS  ページ： 76-79  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,ドープした単結晶シリコン(SCS)における電力非感受性結晶カットの存在の理論的予測と実験的検証について報告した。このようなカットの存在は無視できる程度の分散を伸長弾性波の完全に高調波励起を可能にした。境界に誘起された非線形性の抑制とに沿ったバルク音響共振器のアラインメントこのパワー鈍感カットに振動の振幅非感受性周波数標準の実現を可能にする。SCS弾性の異方性非調和挙動を特性化するために,<100>軸からのオフセット~30°での電力非感受性切断の存在を予測する解析的定式化。この予測は,異なる結晶学的方向に整列した導波路共振器のアレイの実装と特性評価を通して実験により検証した。共振器は分散エネルギートラッピング法による境界誘起非線形性の顕著な抑制を最適化した。これらの中で,22.5°カットに配列した導波路共振器は29dBm,<100>/<110>対応物と比較して50倍高い電力処理で1dB圧縮点を示した。幾何学的非線形性の排除のために使用した分散エネルギートラッピングは80MHzで約7,000の高Q,結晶学的方位に依存しないを同時に実現した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 結晶方位 ,  電力 ,  キャラクタリゼーション ,  *周波数合成 ,  導波路 ,  最適化 ,  オフセット ,  非線形性 ,  共振器 ,  弾性 ,  音響共振器 ,  ドーピング ,  高調波
準シソーラス用語： トラッピング ,  分散エネルギー , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 共振器  (NC04050Y) ,  音響変換器,その他の機器  (BB03060N)

タイトルに関連する用語 (5件)： 振幅 ,  周波数合成 ,  結晶 ,  パワー ,  シリコン