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J-GLOBAL ID：201702262851979688   整理番号：17A1667973

高出力半導体レーザにおける温度源の影響因子を解析することにより,温度場の影響因子を解析した。【JST・京大機械翻訳】

Analysis on influencing factors of active region temperatureof high power semiconductor laser module

著者 (6件)： Yang Hongyu (江蘇科技大学 先進han接技術省重点実験室,鎮江,212003) ,  Liu Lin (森薩塔科技有限公司,常州,213000) ,  Shu Shili (中国科学院長春光学精密机械与物理研究所,発光学及応用国家重点実験室,長春 130033) ,  Qiao Yanxin (江蘇科技大学 先進han接技術省重点実験室,鎮江,212003) ,  Shao Yong (江蘇科技大学 先進han接技術省重点実験室,鎮江,212003) ,  Shi Fengjian (江蘇科技大学 先進han接技術省重点実験室,鎮江,212003)
資料名： Jiangsu Keji Daxue Xuebao (Ziran Kexue Ban)  (Jiangsu Keji Daxue Xuebao (Ziran Kexue Ban))
巻： 31  号： 2  ページ： 143-147  発行年： 2017年 
JST資料番号： C3286A  ISSN： 1673-4807  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： 高出力半導体レーザモジュールの放熱性能を改善するために,レーザモジュールの温度場を数値シミュレーションにより調べ,はんだの熱伝導率とその厚み,熱伝導率及び半導体冷却器の冷却温度がチップの温度とモジュールの放熱性能に及ぼす影響を解析した。結果は以下を示した。はんだ厚さが2~24μmの範囲内では,高抵抗層は形成されず,モジュールの放熱性能は安定しているが,はんだの厚さが24μmより大きい場合には,温度が急速に上昇することが分かった。熱伝導率の増加に伴い,温度が指数関数的に低下し,熱伝導率が1200W/m K以下のとき,温度の低下はより顕著であった。半導体冷却器の冷却面温度と活性領域の温度の比例係数は1の線形関係を示した。Data from Wanfang. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 熱伝導率 ,  熱放射 ,  *半導体レーザ ,  指数関数 ,  はんだ ,  線形性 ,  *半導体 ,  活性部位 ,  冷却器 ,  シミュレーション ,  *温度場 ,  高速度
準シソーラス用語： 冷却温度 ,  数値シミュレーション ,  *影響因子 ,  *高出力 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： high power semiconductor laser ,  temperature field ,  solder ,  heat sink ,  thermoelectric cooler

分類 (1件)： 半導体レーザ  (BD04070L)

タイトルに関連する用語 (5件)： 高出力 ,  半導体レーザ ,  影響因子 ,  解析 ,  温度場