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J-GLOBAL ID：201702262900831617   整理番号：17A1275268

ほう素ドープダイヤモンド電極への非ダイヤモンド状炭素の除去と評価【Powered by NICT】

Removal and evaluation of non-diamond carbon on boron-doped diamond electrodes

著者 (5件)： Hara Seth A. (Neurologic Surgery, Mayo Clinic, Rochester, MN USA) ,  Moen Taylor R. (Neurologic Surgery, Mayo Clinic, Rochester, MN USA) ,  Bennet Kevin (Neurologic Surgery, Mayo Clinic, Rochester, MN USA) ,  Lee Kendall H. (Neurologic Surgery, Mayo Clinic, Rochester, MN USA) ,  Tomshine Jonathan R. (Neurologic Surgery, Mayo Clinic, Rochester, MN USA)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： MeMeA  ページ： 117-122  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ホウ素ドープダイヤモンド電極は慢性in vivo神経化学センサの有望な候補にしている多くの品質を有した。ほう素をドープしたダイヤモンド膜の製作プロセスは,電気化学的性能と神経化学的検出を混乱させる可能性があることを非ダイヤモンド炭素の付加的な型を生成した。ほう素をドープしたダイヤモンドの他の応用ために用いられている種々の除去処理が,それらは非常に良く評価または比較されていない。本研究では,神経化学的検出用に設計したホウ素ドープダイヤモンド微小電極上に三種類の非ダイヤモンド炭素除去処理の有効性を評価するために電極二重層キャパシタンスとキノン表面被覆率の利用を示した。結果では,沈着過程への原子水素冷却段階の硫酸サイクル堆積後と取込は表面非ダイヤモンド炭素汚染ほう素ドープダイヤモンド電極の量を減らすことを示した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 表面被覆 ,  静電容量 ,  *ドーピング ,  沈着 ,  水素 ,  *ダイヤモンド ,  キノン ,  生産工程 ,  化学センサ ,  硫酸 ,  微小電極 ,  *ホウ素
準シソーラス用語： 神経化学 ,  ダイヤモンド膜 ,  *ボロンドープダイヤモンド , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 電気化学反応  (CB07050F)

タイトルに関連する用語 (3件)： ほう素ドープダイヤモンド ,  ダイヤモンド状炭素 ,  評価