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J-GLOBAL ID：201702262912834440   整理番号：17A1553385

進行走査型プローブ顕微鏡法により明らかにされた非ドープ酸化亜鉛膜における表面電位の起源【Powered by NICT】

Origin of surface potential in undoped zinc oxide films revealed by advanced scanning probe microscopy techniques

著者 (1件)： Su Ting (State Key Laboratory of Surface Physics, Department of Physics, Fudan University, Shanghai 200433, China. [e-mail])
資料名： RSC Advances (Web)  (RSC Advances (Web))
巻： 7  号： 67  ページ： 42393-42397  発行年： 2017年 
JST資料番号： U7055A  ISSN： 2046-2069  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,ナノスケールでの非ドープ酸化亜鉛(ZnO)膜における表面電位のバイアス誘起変化の起源を明らかにするために,圧電応答力顕微鏡とKelvinプローブ力顕微鏡法を組み合わせた最近の研究を紹介した。ZnO膜中のdcバイアス下での表面電位をKelvinプローブ力顕微鏡(KPFM)を用いて研究した。添加では,ZnOの圧電特性を圧電応答力顕微鏡(PFM)を用いた電圧,を採用して,表面電位の分極電荷の重要な役割に新しい物理的洞察を提供することであることを適用して研究した。PFM及びKPFMの結果は非ドープZnO膜における電界下の表面電位の起源は分極電荷,注入電荷と表面電荷によって決定されることを示唆した。添加では,非ドープZnOのFermi準位(仕事関数)の有意な変化は正(負)バイアスにより見いだされる。表面電位と電荷捕獲特性の定性的および定量的研究は進歩したナノスケール不揮発性メモリデバイスの設計に有用である。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *酸化亜鉛 ,  Fermi準位 ,  不揮発性メモリ ,  電場 ,  *表面電位 ,  仕事関数 ,  電荷 ,  電圧 ,  *ドーピング ,  表面電荷 ,  バイアス
準シソーラス用語： 電荷捕獲 ,  分極電荷 ,  圧電応答力顕微鏡 ,  ナノスケール , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B) ,  顕微鏡法  (BK01040E) ,  圧電気,焦電気,エレクトレット  (BM05040M)

タイトルに関連する用語 (5件)： 走査型プローブ顕微鏡法 ,  ドープ ,  酸化亜鉛 ,  表面電位 ,  起源