文献

J-GLOBAL ID：201702262914008133   整理番号：17A1720317

単層SnSe同素体の高い熱電性能【Powered by NICT】

High thermoelectric performances of monolayer SnSe allotropes

著者 (5件)： Hu Zi-Yu (College of Science, Beijing University of Chemical Technology, Beijing, 100029, People’s Republic of China. [e-mail]) ,  Li Kai-Yue ,  Lu Yong ,  Huang Yan ,  Shao Xiao-Hong
資料名： Nanoscale  (Nanoscale)
巻： 9  号： 41  ページ： 16093-16100  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2323A  ISSN： 2040-3364  CODEN： NANOHL  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： αSnSeは低い熱伝導率と高い力率を持つ最も有望な熱電材料の一つである。材料の熱電特性は,その結晶構造に強く依存しているので,著者らはab initio密度汎関数理論法を用いたαSnSeと共にSnSe(β,γ,δ及びε)の四種の新しい単分子層相のエネルギーと熱電特性を研究した。計算された電子構造は,全ての五つの相は異なるバンドギャップを有する半導体であることを示した。α,β,γ,およびδ相は.~2軌道の混成をもつ間接バンドギャップを持っていたが,ε相は.~3軌道の混成をもつ直接バンドを持っている。熱電輸送特性と係数は,半古典的Boltzmann理論を用いた電子構造から得られた,結果によれば,SnSe(β,γ,δ及びε)の四つの新しい相は,報告されたα相と比較して優れた熱電特性を持つことを示した。β-SnSe相に対して予測されたZT値は300Kで2.06であり,新規熱電応用のための大きな可能性を秘めていることを示唆した。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 単分子層 ,  密度汎関数法 ,  力率 ,  *電子構造 ,  ε相 ,  バンドギャップ ,  α相 ,  熱電材料 ,  熱伝導率 ,  半導体 ,  結晶構造 ,  δ相
準シソーラス用語： 輸送特性 ,  間接バンドギャップ ,  熱電特性 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 半導体結晶の電子構造  (BM02060N)

タイトルに関連する用語 (2件)： 単層 ,  同素体