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J-GLOBAL ID：201702262922799603   整理番号：17A1716957

ペロブスカイトナノキューブヘテロ接合の抵抗スイッチング特性に及ぼす高分子の添加と変化する装置の大きさの影響【Powered by NICT】

Effect of adding a polymer and varying device size on the resistive switching characteristics of perovskite nanocubes heterojunction

著者 (5件)： Yang Young Jin (Korea Institute of Industrial Technology, Jeju, Republic of Korea) ,  Rehman Muhammad Muqeet (Department of Mechatronics Engineering, Jeju National University, 690-756, Republic of Korea) ,  Siddiqui Ghayas Uddin (Department of Mechatronics Engineering, Jeju National University, 690-756, Republic of Korea) ,  Na Kyoung Hoan (College of Engineering, Dankook University, Gyeonggi, Republic of Korea) ,  Choi Kyung Hyun (Department of Mechatronics Engineering, Jeju National University, 690-756, Republic of Korea)
資料名： Current Applied Physics  (Current Applied Physics)
巻： 17  号： 12  ページ： 1733-1741  発行年： 2017年 
JST資料番号： W1579A  ISSN： 1567-1739  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 新たな抵抗スイッチング素子は,次世代大容量メモリのための超高密度ナノクロスバーアレイを実現する上で重要な役割を果たすと信じられている。ペロブスカイト酸化亜鉛黄錫鉱ナノキューブ(ZnSnO_3NCs)と高分子ポリ(メタクリル酸メチル)(PMMA)の有機-無機ハイブリッドナノ複合材料における抵抗スイッチング効果を報告した。機能層は柔軟なPET基板上の酸化インジウムスズ(ITO)と銀(Ag)電極の間に挟んだ。得られた電気的結果は,ZnSnO_3NC中のPMMAの添加は,電気的耐久性(500バイアスサイクル),保持時間(~10~4 s),スイッチング比(~10~3)とメモリ素子の再現性を向上させることを明らかに示した。さらにこのハイブリッドナノ複合材料の抵抗スイッチング特性に及ぼすデバイスサイズの影響はまた,上部電極の直径を変化させて調べた。底層を除いて全デバイス作製は電気流体力学的噴霧(EHDA)とインクジェット往復ヘッドなど全印刷技術により行った。開発したメモリ素子は,低作動電圧での特徴的な両極性,不揮発性書き換え可能メモリ挙動を示した。化学的,構造的,電気的および表面形態の得られた結果は,ペロブスカイトNCのスイッチング特性に及ぼす高分子添加の影響を完全に理解するに加えた。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： スイッチング素子 ,  電圧 ,  記憶素子 ,  酸化インジウムスズ ,  耐久性 ,  ポリメタクリル酸メチル ,  保持時間 ,  *ヘテロ接合 ,  酸化 ,  *高分子 ,  *スイッチング ,  ナノ複合材料
準シソーラス用語： *スイッチング特性 ,  *ナノキューブ ,  *抵抗スイッチング , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 高分子 ,  ペロブスカイト酸化物 ,  PMMA ZnSnO_3ナノ複合材料 ,  全印刷 ,  フレキシブルメモリ

分類 (2件)： 記憶装置  (JC04060F) ,  半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (3件)： スイッチング特性 ,  高分子 ,  大きさ