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J-GLOBAL ID：201702262959132450   整理番号：17A1224540

フォトリソグラフィーで製作したp-i-n集積フォトニック結晶ナノキャビティを用いた電気光学変調器

Electro-Optic Modulator Based on Photolithography Fabricated p-i-n Integrated Photonic Crystal Nanocavity

著者 (5件)： DAUD Nurul Ashikin Binti (Department of Electronics and Electrical Engineering, Faculty of Science and Technology, Keio University) ,  OOKA Yuta (Department of Electronics and Electrical Engineering, Faculty of Science and Technology, Keio University) ,  TABATA Tomohisa (Department of Electronics and Electrical Engineering, Faculty of Science and Technology, Keio University) ,  TETSUMOTO Tomohiro (Department of Electronics and Electrical Engineering, Faculty of Science and Technology, Keio University) ,  TANABE Takasumi (Department of Electronics and Electrical Engineering, Faculty of Science and Technology, Keio University)
資料名： IEICE Transactions on Electronics (Web)  (IEICE Transactions on Electronics (Web))
巻： E100.C  号： 8  ページ： 670-674(J-STAGE)  発行年： 2017年 
JST資料番号： U0468A  ISSN： 1745-1353  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 筆者らは,初めて,SiO₂でクラッドしたp-i-n接合の,フォトリソグラフィーで製作したフォトニック結晶(PhC)ナノキャビティを用いた電気光学変調器を提示した。このデバイスは,超高Q値(約10⁵)を示し,集積p-i-nダイオード構造による電気光学変調を行った。キャリア注入に基づく電気光学変調を実証した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： オプトエレクトロニクス ,  工学 ,  集積光学 ,  *光変調素子 ,  空洞 ,  フォトニック結晶 ,  PINダイオード ,  *PIN接合 ,  フォトリソグラフィー ,  シリカゲル ,  Q値 ,  キャリア注入 ,  *光導波路
準シソーラス用語： シリコンフォトニクス ,  ナノフォトニクス ,  *電気光学変調器 ,  ナノキャビティ ,  *フォトニック結晶導波路

著者キーワード (6件)： photonic crystal ,  electro-optic devices ,  integrated optics ,  modulators ,  nanophotonics ,  opto-electronics

分類 (2件)： 光変調器  (BD06020W) ,  光導波路,光ファイバ,繊維光学  (BD06030H)

引用文献 (16件)：

• [1] C. Gunn, “CMOS Photonics for High-Speed Interconnects,” IEEE Micro, vol.26, no.2, pp.58-66, April 2006. 10.1109/mm.2006.32
• [2] D.A.B. Miller, “Device Requirements for Optical Interconnects to Silicon Chips,” Proc. IEEE, vol.97, no.7, pp.1166-1185, July 2009. 10.1109/jproc.2009.2014298
• [3] R. Soref, “The Past, Present, and Future of Silicon Photonics,” IEEE J. Sel. Topics Quantum Electron., vol.12, no.6, pp.1678-1687, Nov./Dec. 2006. 10.1109/jstqe.2006.883151
• [4] Q. Xu, B. Schmidt, S. Pradhan, and M. Lipson, “Micrometre-Scale Silicon Electro-Optic Modulaor,” Nat., vol.435, pp.325-327, May 2005. 10.1038/nature03569
• [5] T. Baba, S. Akiyama, M. Imai, N. Hirayama, H. Takahashi, Y. Noguchi, T. Horikawa, and T. Usuki, “50-Gb/s Ring-Resonator-Based Silicon Modulator,” Opt. Express, vol.21, no.10, pp.11869-11867, May 2013. 10.1364/oe.21.011869

タイトルに関連する用語 (6件)： フォトリソグラフィー ,  製作 ,  集積 ,  フォトニック結晶 ,  ナノキャビティ ,  電気光学変調器