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J-GLOBAL ID：201702262998020533   整理番号：17A0225769

遷移金属ドープ層状遷移金属ジカルコゲナイドの合成,特性,および応用

Synthesis, Properties, and Applications of Transition Metal-Doped Layered Transition Metal Dichalcogenides

著者 (3件)： TEDSTONE Aleksander A. (Univ. Manchester, Manchester, GBR) ,  LEWIS David J. (Univ. Manchester, Manchester, GBR) ,  O’BRIEN Paul (Univ. Manchester, Manchester, GBR)
資料名： Chemistry of Materials  (Chemistry of Materials)
巻： 28  号： 7  ページ： 1965-1974  発行年： 2016年04月12日 
JST資料番号： T0893A  ISSN： 0897-4756  CODEN： CMATEX  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 文献レビュー  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 層状遷移金属ジカルコゲナイドの単層構造は,物理的に興味のある特性を示し,現在盛んに研究されている。本レビューでは,例えば二硫化モリブデン,および二硫化タングステンの様な層状遷移金属ジカルコゲナイドへの遷移金属の選択および濃度を考慮したドーピングによるその合成戦略とそれによって生じる半導体特性,磁気特性,および触媒特性の変化,さらにはその応用について解説する。

シソーラス用語： 遷移金属 ,  *ドーピング ,  *層状化合物 ,  *カルコゲン化物 ,  *遷移金属化合物 ,  合成 ,  *物理的性質 ,  単一層 ,  硫化モリブデン ,  タングステン化合物 ,  多硫化物 ,  半導体 ,  *磁気的性質 ,  *触媒活性 ,  二硫化タングステン ,  触媒特性 ,  硫化モリブデン(IV) ,  遷移金属ダイカルコゲナイド
準シソーラス用語： 二硫化モリブデン ,  遷移金属ジカルコゲナイド

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  金属酸化物及び金属カルコゲン化物の結晶構造  (BK07020Y)

タイトルに関連する用語 (5件)： 遷移金属 ,  ドープ ,  層状 ,  遷移金属ジカルコゲナイド ,  応用