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J-GLOBAL ID：201702263103175120   整理番号：17A0590289

GaN/AlGaN量子井戸とフォトニック結晶に基づく中赤外線狭帯域熱放射体の実証

Demonstration of a mid-wavelength infrared narrowband thermal emitter based on GaN/AlGaN quantum wells and a photonic crystal

著者 (4件)： Kang Dongyeon Daniel (Department of Electronic Science and Engineering, Kyoto University, Kyoto 615-8510, Japan) ,  Inoue Takuya (Department of Electronic Science and Engineering, Kyoto University, Kyoto 615-8510, Japan) ,  Asano Takashi (Department of Electronic Science and Engineering, Kyoto University, Kyoto 615-8510, Japan) ,  Noda Susumu (Department of Electronic Science and Engineering, Kyoto University, Kyoto 615-8510, Japan)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 110  号： 18  ページ： 181109-181109-4  発行年： 2017年05月01日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *窒化ガリウム ,  *アルミニウム化合物 ,  *ガリウム化合物 ,  *窒化物 ,  *量子井戸 ,  *フォトニック結晶 ,  *赤外線 ,  狭帯域 ,  多重量子井戸 ,  電子遷移 ,  *光共振器 ,  熱安定性 ,  安定性 ,  放射強度 ,  *ガスセンサ ,  ガス検出器 ,  *発光ダイオード ,  *半導体薄膜 ,  *中赤外線 ,  サブバンド間遷移 ,  フォトニック結晶共振器 ,  温度安定性 ,  発光強度 ,  *放射伝熱 ,  *窒化アルミニウムガリウム ,  *電磁波 ,  *波動
準シソーラス用語： *熱放射 ,  GaN ,  *AlGaN ,  *LED

分類 (3件)： 発光素子  (NC03082G) ,  レーザ一般  (BD04030T) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (8件)： GaN ,  AlGaN ,  量子井戸 ,  フォトニック結晶 ,  中赤外線 ,  狭帯域 ,  放射体 ,  実証