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J-GLOBAL ID：201702263178034221   整理番号：17A0665418

両極性有機電界効果トランジスタ及びインバータのためのフッ素化ベンゾチアジアゾールとインダセノジチエノ[3,2 b]チオフェンベース位置規則性共役共重合体【Powered by NICT】

Fluorinated benzothiadiazole and indacenodithieno[3,2-b]thiophene based regioregular-conjugated copolymers for ambipolar organic field-effect transistors and inverters

著者 (6件)： Tabi Grace Dansoa (Department of Energy and Materials Engineering, Dongguk University, 30 Pildong-ro, 1-gil, Jung-gu, Seoul 04620, Republic of Korea. [e-mail]) ,  Nketia-Yawson Benjamin ,  Lee Ji Young ,  Cho Keun ,  Lim Bogyu ,  Noh Yong-Young
資料名： RSC Advances (Web)  (RSC Advances (Web))
巻： 7  号： 2  ページ： 1110-1117  発行年： 2017年 
JST資料番号： U7055A  ISSN： 2046-2069  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 有機電界効果トランジスタ(OFET)と両極性相補型インバータのための両極性電荷キャリア輸送特性の強度を調整するためにBT IDTT DTDPP(P1),BT IDTT BDTT(P2)とBT IDTT BDTSe(P3)共重合体におけるアクセプタ単位3,6-dithien-2-イル-2,5-dialkylpyrrolo[3,4-c]ピロール-1,4-ジオン(DTDPP),ドナー部分7,8 ビチエニルベンゾ[1,2-b:4,5-b′]ジ-チオフェン(BDTT)と4,8-ビス(5-エチルヘキシルセレノフェン-2-イル)ベンゾ[1,2-b:4,5-b′]ジチオフェン(BDTSe)を含むベンゾチアジアゾール インダセノジチエノ[3,2 b]チオフェン基づくはしご型重合体(BT IDTT)における一連の三種の可溶性高分子ハイブリッドの合成とキャラクタリゼーションを報告した。1.4 1.7eVの狭いバンドギャップは電子ドナー-アクセプタ単位の注意深い選択及びフィルム状態のこれらの重合体の強い充填によって達成された。特に,1.38eVとバランスのとれた両極性トランジスタ特性の非常に狭いバンドギャップはP2とP3におけるベンゾジチオフェンを置換P1のジケトピロロピロールにより達成された。P1ポリマーと最適化されたトップゲートボトムコンタクトOFETは電子と正孔の移動度は,それぞれ0.015cmと0.007cm~2V~ 1s~ 1,およびポリ(メタクリル酸メチル)ゲート誘電体を用いたインバータ利得~14を示した。興味深いことに,ふっ素化P(VDF TrFE)誘電体を用いたBT IDTTはしご型高分子,半導体-誘電体界面での増加した正孔蓄積に起因できるすべてのOFETにおける0.1cm~2V~ 1s~ 1の移動度に改善した正孔輸送特性。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *共役 ,  ポリメタクリル酸メチル ,  ドナー ,  高分子複合体 ,  正孔 ,  アクセプタ ,  利得 ,  *トランジスタ ,  移動度 ,  バンドギャップ ,  硫黄複素環化合物
準シソーラス用語： 輸送特性 ,  電荷キャリア ,  *有機FET ,  *両極性 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

物質索引 (1件)： チオフェン

タイトルに関連する用語 (8件)： 両極性 ,  有機電界効果トランジスタ ,  インバータ ,  フッ素化 ,  チオフェン ,  位置規則性 ,  共役 ,  共重合体