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J-GLOBAL ID：201702263185899838   整理番号：17A1271152

FETに基づいたテラヘルツ検出器の熱雑音に制限される感度【Powered by NICT】

Thermal noise-limited sensitivity of FET-based terahertz detectors

著者 (14件)： Cibiraite D. (Physikalisches Institut, Goethe-Universitaet Frankfurt, Germany) ,  Bauer M. (Physikalisches Institut, Goethe-Universitaet Frankfurt, Germany) ,  Lisauskas A. (Physikalisches Institut, Goethe-Universitaet Frankfurt, Germany) ,  Krozer V. (Physikalisches Institut, Goethe-Universitaet Frankfurt, Germany) ,  Roskos H. G. (Physikalisches Institut, Goethe-Universitaet Frankfurt, Germany) ,  Ramer A. (Ferdinand-Braun-Institut, Leibniz Institut fuer Hoechstfrequenztechnik, Berlin, Germany) ,  Krozer V. (Ferdinand-Braun-Institut, Leibniz Institut fuer Hoechstfrequenztechnik, Berlin, Germany) ,  Heinrich W. (Ferdinand-Braun-Institut, Leibniz Institut fuer Hoechstfrequenztechnik, Berlin, Germany) ,  Pralgauskaite S. (Department of Radiophysics & Center for Physical Science and Technology, Vilnius University, NFTMC, Lithuania) ,  Zdanevicius J. (Department of Radiophysics & Center for Physical Science and Technology, Vilnius University, NFTMC, Lithuania) ,  Matukas J. (Department of Radiophysics & Center for Physical Science and Technology, Vilnius University, NFTMC, Lithuania) ,  Lisauskas A. (Department of Radiophysics & Center for Physical Science and Technology, Vilnius University, NFTMC, Lithuania) ,  Andersson M. (Department of Microtechnology and Nanoscience, Chalmers University of Technology, Gothenburg, Sweden) ,  Stake J. (Department of Microtechnology and Nanoscience, Chalmers University of Technology, Gothenburg, Sweden)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： ICNF  ページ： 1-4  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ここでは,電界効果トランジスタに基づくテラヘルツ検出器(TeraFETs)の,信号対雑音比(SNR)または雑音等価パワー(NEP)のような,ノイズの程度に応じてパラメータの推定に関する詳細な研究を提示した。一般的に,これらのパラメータは良く知られた仮定から推定し,検出器の性能は,トランジスタのチャネルの熱雑音によって制限されることを示した。しかし,実際は他の騒音源または過渡効果の影響がかなり大きいことを示した。異なる材料システムに基づくトランジスタを用いて行ったTeraFET雑音測定,AlGaN/GaN,AlGaAs/GaAs,シリコンCMOS,単分子層グラフェンなどを要約した。熱雑音と測定データの間の良い一致を達成した。しかし,ゲート漏れ電流と遅い欠陥充放電効果,TeraFETの性能推定に強く影響するに払わなければならない。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 雑音測定 ,  ケイ素 ,  トランジスタ ,  *テラヘルツ波 ,  ヒ化ガリウムアルミニウム ,  SN比 ,  チャネル ,  *検出器 ,  ヒ化ガリウム ,  *雑音 ,  単分子層 ,  *熱雑音 ,  パラメータ推定 ,  グラフェン
準シソーラス用語： ゲート漏れ電流 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  赤外・遠赤外領域の測光と光検出器  (BD07032W)

タイトルに関連する用語 (6件)： FET ,  テラヘルツ ,  検出器 ,  熱雑音 ,  制限 ,  感度