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J-GLOBAL ID：201702263207190532   整理番号：17A0417761

プラスチック基板上のフレキシブルSi BiCMOS【Powered by NICT】

Flexible Si BiCMOS on plastic substrates

著者 (4件)： Seo Jung-Hun (Department of Electrical and Computer Engineering, University of Wisconsin-Madison, 53706, USA) ,  Zhang Kan (Department of Electrical and Computer Engineering, University of Wisconsin-Madison, 53706, USA) ,  Zhou Weidong (Department of Electrical Engineering, University of Texas at Arlington, 76019, USA) ,  Ma Zhenqiang (Department of Electrical and Computer Engineering, University of Wisconsin-Madison, 53706, USA)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： SiRF  ページ： 79-81  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,移動可能な単結晶Siナノ膜(Si NM)上のフレキシブルなBiCMOSデバイス,nチャネルとpチャネル金属-酸化物-半導体電界効果トランジスタ(NMOS&PMOS FETs)およびNPNバイポーラトランジスタ(BJT)を実証した。Si NMに統合することに成功したデバイスの全てのタイプは,優れたDCおよび無線周波数(RF)特性を示し,安定な相互コンダクタンスと曲げ条件下で電流利得を行った。全体として,Si NMに基づく柔軟なBiCMOSデバイスは高性能・多機能将来のフレキシブル応用に対して大きな有望性を提供する。さらに,提案した柔軟なBiCMOSプロセスは,市販の微細加工技術との良好な適合性を持っており,それは工業的使用に容易に適用できる。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 相互コンダクタンス ,  適応性 ,  FET【トランジスタ】 ,  *BiCMOS ,  チャネル ,  バイポーラトランジスタ ,  単結晶 ,  酸化物 ,  *ケイ素 ,  半導体 ,  ナノシート
準シソーラス用語： 微細加工技術 ,  多機能 ,  電流利得 ,  無線周波数 ,  ナノ薄膜 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (3件)： プラスチック基板 ,  Si ,  BiCMOS