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J-GLOBAL ID：201702263218368839   整理番号：17A1254680

バイオセンシングのための擬似MOSFETにおける非平衡体ポテンシャル測定【Powered by NICT】

Out-of-equilibrium body potential measurements in pseudo-MOSFET for biosensing

著者 (5件)： Benea Licinius (IMEP-LAHC, Minatec, Grenoble INP, Univ. Grenoble Alpes, CNRS, 38016, France) ,  Bawedin Maryline (IMEP-LAHC, Minatec, Grenoble INP, Univ. Grenoble Alpes, CNRS, 38016, France) ,  Delacour Cecile (Ne ́el Inst., CNRS, 38042 Grenoble, France) ,  Cristoloveanu Sorin (IMEP-LAHC, Minatec, Grenoble INP, Univ. Grenoble Alpes, CNRS, 38016, France) ,  Ionica Irina (IMEP-LAHC, Minatec, Grenoble INP, Univ. Grenoble Alpes, CNRS, 38016, France)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： EUROSOI-ULIS  ページ： 19-22  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Ψ-MOSFETを用いた表面電荷検出のための新しい方法を提示した。非平衡体ポテンシャルの系統的な測定をSOIウエハ上に行った。生化学センサとしてΨ-MOSFETの関心を実験的に証明した。この方法の利点は従来I_D V_G法に比べて良好な感度,簡便性と低電圧読み取りである。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *バイオセンサ ,  *MOSFET ,  化学センサ ,  *非平衡状態
準シソーラス用語： 低電圧 ,  簡便性 ,  電荷検出 ,  *電位測定 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G) ,  固体デバイス材料  (NC03020K)

タイトルに関連する用語 (5件)： バイオセンシング ,  擬似 ,  MOSFET ,  非平衡 ,  ポテンシャル測定