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J-GLOBAL ID：201702263340796234   整理番号：17A1665434

高周波マグネトロンスパッタリングによるCu2SnS3薄膜の構造と光学特性を研究した。【JST・京大機械翻訳】

Synthesis and Optical Properties of Magnetron Sputtered Cu2SnS3 ThinFilms

著者 (4件)： Li Xueliu (合肥工業大学 電子科学与応用物理学院 合肥 230009) ,  Liu Dandan (合肥工業大学 電子科学与応用物理学院 合肥 230009) ,  Shi Chengwu (合肥工業大学 化学与化工学院 合肥 230009) ,  Liang Qi (合肥工業大学 電子科学与応用物理学院 合肥 230009)
資料名： Zhenkong Kexue yu Jishu Xuebao  (Zhenkong Kexue yu Jishu Xuebao)
巻： 37  号： 4  ページ： 400-408  発行年： 2017年 
JST資料番号： C2159A  ISSN： 1672-7126  CODEN： CKKSDV  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： 高周波マグネトロンスパッタリングにより,Cu2SnS3薄膜を,高速アニーリング法により調製し,次に,高周波マグネトロンスパッタリングにより調製した。Cu2SnS3薄膜の結晶構造,相組成,化学組成,表面形態,および光学的性質を,異なるスパッタリングパワー(40と80W)で,SnS2とCu2Sの混合物(モル比1:1,1:1.5,1:2)を用いて研究した。結果は以下を示した。混合ターゲットのSnS2,Cu2Sの最適モル比は1:1.5で,このターゲットを用いて薄膜を調製した。80Wのスパッタリングパワーにおいて,膜の結晶品質と優先配向性は高く,歪は最小で,Cu:Sn:Sモル比は1.89:1:2.77で,平均粒子径と平均粗さはそれぞれ332と0.742nmであった。吸収係数は104cm(-1)に達し,バンドギャップは1.32eVであった。n-Si/p-CTSヘテロ接合デバイスを作製し,デバイスは良好な整流特性と光電流応答特性を示した。Data from Wanfang. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 化学組成 ,  シミュレーテッドアニーリング ,  光電流 ,  相組成 ,  *光学的性質 ,  応答特性 ,  吸収係数 ,  モル比 ,  ヘテロ接合 ,  *薄膜 ,  結晶構造 ,  整流 ,  優先配向
準シソーラス用語： 結晶品質 ,  *RFマグネトロンスパッタリング , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： Cu2SnS3 thin film ,  RF magnetron sputtering ,  Rapid thermal annealing ,  Crystalline structure ,  Optical properties

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A)

タイトルに関連する用語 (4件)： 高周波マグネトロンスパッタリング ,  薄膜 ,  光学特性 ,  研究