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J-GLOBAL ID：201702263357863022   整理番号：17A1637466

金属間誘電体Cu残基誘導される初期生活漏れ電流増加の事例研究【Powered by NICT】

Case study of inter-metal dielectric cu residue induced early life leakage increase

著者 (4件)： Lakshminarayanan S. (Cypress Semiconductor, 198 Champion St., San Jose, 95134 USA) ,  Govindaswamy Srikanth (Cypress Semiconductor, 198 Champion St., San Jose, 95134 USA) ,  Cui Linda (Cypress Semiconductor, 2700 162 St. SW, Bldg D, Lynwood, 98087, USA) ,  Kapre Ravindra (Cypress Semiconductor, 198 Champion St., San Jose, 95134 USA)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： IPFA  ページ： 1-4  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： これは40nm技術ノード上に作製したチップ上の初期故障解析の事例研究である。チップは,初期故障率(EFR)試験の一部として強調した後大きな漏れ電流は高電圧(HV)供給で観察された。ウエハ裏面の発光分光法[1]と光ビーム誘起抵抗変化(OBIRcH)[2]を用いた電気的故障解析(EFA)はホットスポットの存在を示したが,シリコン損傷は処理後には観察されなかった。OBIRCHも相互接続の長区間を強調したが,欠陥を局在化するために有用ではなかった。回路解析,金属ネット追跡を含む問題の最もありそうな源としてによる着陸パッドと最小間隔隣接金属線間の可能な短絡を示した。これは漏れ経路をもたらす公称オフトランジスタのゲートを偏向するであろう。物理的故障解析(PFA)は漏れの源として及び隣接金属線間の金属間誘電体(IMD)中の痕跡量のCuを明らかにした。Cu残基もストレスを受けていない金型で観察された。根本原因は高い誘電リセスをもたらすことを金属の低レベルで下地金属側壁及び非最適化Cu CMPを介したエッチ誘起損傷の組合せであると決定した。問題を解決した適切なプロセス最適化作用。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *誘電体 ,  故障解析 ,  光子ビーム ,  エッチング ,  金属線 ,  相互接続 ,  *銅 ,  *漏れ電流 ,  最適化 ,  *事例研究 ,  回路解析 ,  初期故障 ,  ケイ素 ,  ホットスポット
準シソーラス用語： プロセス最適化 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G)

タイトルに関連する用語 (8件)： 誘電体 ,  Cu ,  残基 ,  誘導 ,  初期 ,  生活 ,  漏れ電流 ,  研究