走査型容量分光法によるCu(In,Ga)Se_2とCu_2ZnSnSe_4太陽電池における電気的接合の位置決め【Powered by NICT】

Xiao Chuanxiao; Xiao Chuanxiao; Jiang Chun-Sheng; Moutinho Helio; Levi Dean; Yan Yanfa; Gorman Brian; Al-Jassim Mowafak

文献

J-GLOBAL ID：201702263365276919 整理番号：17A0750110

走査型容量分光法によるCu(In,Ga)Se_2とCu_2ZnSnSe_4太陽電池における電気的接合の位置決め【Powered by NICT】

Locating the electrical junctions in Cu(In,Ga)Se₂ and Cu₂ZnSnSe₄ solar cells by scanning capacitance spectroscopy

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資料名：
巻： 25 号： 1 ページ： 33-40 発行年： 2017年
JST資料番号： W0463A ISSN： 1062-7995 CODEN： PPHOED 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：イギリス (GBR) 言語：英語 (EN)

薄膜デバイスに適用できる走査型容量分光法(SCS)を開発することにより,約20nm精度でCu(In,Ga)Se_2(CIGS)とCu_2ZnSnSe_4(CZTS)太陽電池の電気的接合(EJ)位置を決定した。自然酸化物層を成長させるための損傷層とそれに続くアニーリングを除去するための,平坦に断面を研磨のための室温での高エネルギーイオンミリングによって開発された,続いて液体窒素温度での低エネルギーイオンミリングしたSCS測定のための断面試料調製。SCSはデバイスを越えた明確なp型,遷移,およびn型スペクトルを示し,スペクトル特徴は,空乏領域中の位置, 20nm分解能でEJを決定する内に結果的に生じる,急激に変化する。CIGS/CdS界面に近い領域におけるn型CIGSを見出した;このようにして,細胞はホモ接合である。EJは約CIGS側の界面から40nmであった。とは対照的に,このようなn型CZTSは,CZTS/CdS電池では見られなかった。EJはCZTS/CdS界面,ヘテロ接合細胞におけるp CZTSとCdSの非対称キャリア濃度と一致するから約20nmであった。接合位置の明確に決定の結果は,CIGSとCZTS間の大きな開回路電圧差の理解に大きく寄与する。Copyright 2017 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

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太陽電池

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