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J-GLOBAL ID：201702263415222130   整理番号：17A1121867

ドメインピン止め:HafniaとPZT系強誘電体の比較【Powered by NICT】

Domain Pinning: Comparison of Hafnia and PZT Based Ferroelectrics

著者 (13件)： Fengler Franz P. G. (NaMLab gGmbH, Noethnitzer Str. 64, Dresden, D-01187, Germany) ,  Pesic Milan (NaMLab gGmbH, Noethnitzer Str. 64, Dresden, D-01187, Germany) ,  Starschich Sergej (Institut fuer Werkstoffe der Elektrotechnik 2, RWTH Aachen, Sommerfeldstr. 24, D-52074, Aachen, Germany) ,  Schneller Theodor (Institut fuer Werkstoffe der Elektrotechnik 2, RWTH Aachen, Sommerfeldstr. 24, D-52074, Aachen, Germany) ,  Kuenneth Christopher (Department of Applied Sciences and Mechatronics, Munich University of Applied Sciences, Lothstr. 34, D-80335, Muenchen, Germany) ,  Bottger Ulrich (Institut fuer Werkstoffe der Elektrotechnik 2, RWTH Aachen, Sommerfeldstr. 24, D-52074, Aachen, Germany) ,  Mulaosmanovic Halid (NaMLab gGmbH, Noethnitzer Str. 64, Dresden, D-01187, Germany) ,  Schenk Tony (NaMLab gGmbH, Noethnitzer Str. 64, Dresden, D-01187, Germany) ,  Park Min Hyuk (NaMLab gGmbH, Noethnitzer Str. 64, Dresden, D-01187, Germany) ,  Nigon Robin (Laboratoire de Ceramique, EPFL, MX-D Ecublens, 1015, Lausanne, Switzerland) ,  Muralt Paul (Laboratoire de Ceramique, EPFL, MX-D Ecublens, 1015, Lausanne, Switzerland) ,  Mikolajick Thomas (Chair of Nanoelectronic Materials, TU Dresden, D-01062, Dresden, Germany) ,  Schroeder Uwe (NaMLab gGmbH, Noethnitzer Str. 64, Dresden, D-01187, Germany)
資料名： Advanced Electronic Materials  (Advanced Electronic Materials)
巻： 3  号： 4  ページ： null  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2482A  ISSN： 2199-160X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 強誘電体酸化ハフニウムの磁場サイクリング挙動に関する多くの研究が最近報告されているが,問題はまだ十分解明されていない。最初のサイクル中の分極の初期増加は異なる理論的および経験的方法によって説明した。バルクに向けて界面層からの電場誘起相変化と同様に酸素空孔拡散を検討した。トラップされた電荷と同様に言及酸素空孔拡散はヒステリシスのシフトを引き起こす可能性がある電圧軸はインプリントと呼ばれる。様々な研究はサイクルの進行とこの効果を接続電荷拡散にもかかわらず,覚醒とインプリントの起源のための最終的な実験的証拠はまだ存在しない。ハフニア-ジルコニアと鉄をドープしたジルコニウム酸チタン酸鉛強誘電体の包括的な比較研究に基づいて,酸素空格子点の拡散は,両インプリントとウェークアップの主要な原因であることを確認した。さらに,強誘電分域の局所的種子阻害を純粋状態での低下した強誘電性応答の原因である可能性が最も高いことを示した。Copyright 2017 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： ヒステリシス ,  *強誘電体 ,  酸化ジルコニウム ,  電場 ,  *ピン止め ,  電圧 ,  酸化ハフニウム ,  相転移 ,  強誘電性 ,  電荷 ,  ドーピング ,  *ジルコニウム酸チタン酸鉛 ,  強誘電分域
準シソーラス用語： 酸素空格子点 ,  界面層 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： 強誘電体 ,  酸化ハフニウム ,  インプリント ,  内部バイアス場 ,  チタン酸ジルコニウム酸鉛 ,  酸素空格子点

分類 (1件)： 強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B)

タイトルに関連する用語 (5件)： ドメイン ,  ピン止め ,  Hafnia ,  PZT ,  強誘電体