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J-GLOBAL ID：201702263416189612   整理番号：17A0953463

超短パルスレーザ処理によりエレクトロルミネセンスを増強するZnS微結晶の光機械改質

Photomechanical modification of ZnS microcrystal to enhance electroluminescence by ultrashort-pulse laser processing

著者 (4件)： NABESAKA Kyohei (Nara Inst. of Sci. and Technol. (NAIST), Nara, JPN) ,  ISHIKAWA Yasuaki (Nara Inst. of Sci. and Technol. (NAIST), Nara, JPN) ,  HOSOKAWA Yoichiroh (Nara Inst. of Sci. and Technol. (NAIST), Nara, JPN) ,  URAOKA Yukiharu (Nara Inst. of Sci. and Technol. (NAIST), Nara, JPN)
資料名： Applied Physics Express  (Applied Physics Express)
巻： 10  号： 2  ページ： 021201.1-021201.4  発行年： 2017年02月 
JST資料番号： F0599C  ISSN： 1882-0778  CODEN： APEPC4  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ZnS微結晶を超短パルスレーザにより処理し,無機エレクトロルミネセンス(EL)蛍光体に応用した。EL蛍光体の発光強度はレーザ誘起光機械改質により高くなることが分った。発光の増強のパルス幅依存性と走査電子顕微鏡による構造解析により,機械的な粉砕から,主に結晶表面上で構造改質が誘起されるが,ZnS微結晶内部で構造改質が誘起されることを示した。これら結果から,無機EL素子の発光を増強する新しい方法が示唆される。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *エレクトロルミネセンス ,  微結晶 ,  *硫化亜鉛 ,  化合物半導体 ,  パルスレーザ照射 ,  パルス幅 ,  フェムト秒レーザ ,  *レーザアブレーション ,  半導体素子 ,  粉砕
準シソーラス用語： ELデバイス ,  フェムト秒パルスレーザ ,  機械的粉砕

分類 (1件)： 半導体のルミネセンス  (BM08092S)

引用文献 (18件)：

• P. Goldberg, Luminescence of Inorganic Solids (Academic Press, New York, 1966).
• A. G. Fischer, J. Electrochem. Soc. 110, 733 (1963).
• A. C. Wright and I. V. F. Viney, Philos. Mag. B 81, 279 (2001).
• A. G. Fischer, J. Electrochem. Soc. 109, 1043 (1962).
• T. Kontani, S. Horiguchi, M. Horita, Y. Ishikawa, N. Taguchi, and Y. Uraoka, AM-FPD 11, P-3 (2011).

タイトルに関連する用語 (6件)： 短パルスレーザ ,  エレクトロルミネセンス ,  増強 ,  ZnS ,  微結晶 ,  改質