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J-GLOBAL ID:201702263434759758   整理番号:17A0370188

GaInP/GaAs/Ge集光型太陽電池とその成分のサブセル上の10MeV陽子照射効果【Powered by NICT】

10MeV proton irradiation effects on GaInP/GaAs/Ge concentrator solar cells and their component subcells
著者 (19件):
資料名:
巻: 159  ページ: 576-582  発行年: 2017年 
JST資料番号: D0513C  ISSN: 0927-0248  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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本論文では,集光器GaInP/GaAs/Ge格子整合三重接合太陽電池とそれに対応するサブセルへの10MeV陽子照射の実験結果を検討した。分解挙動の解析を導くために外部量子効率,光と暗I-V測定のような電気光学特性評価を理論的デバイスモデリングと共に行った。GaInP(Ge)とGe細胞は寿命と寿命の終わった約4%の開始との間のパワー損失を示したが,GaInP/GaAs/Ge及びGaAs太陽電池は低地球軌道における8年間衛星ミッションに相当する照射フルエンスで12%と10%の測定された最高の損傷を示した。単一接合太陽電池の結果は,三重接合太陽電池のそれと良く相関した。集光器太陽電池構造の性能は文献に報告されている伝統的な間隙標的化設計のそれと同様な特定的変化は空間における三重接合集光太陽電池を用いる必要がないかもしれないことを示唆した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
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分類 (1件):
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太陽電池 

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