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J-GLOBAL ID:201702263494879579   整理番号:17A0148708

超高速CMOS-MEMS多層赤外線エミッタの設計

Design of an Ultra-fast CMOS-MEMS Multilayer Infrared Emitter
著者 (3件):
資料名:
巻: 137  号:ページ: 23-27(J-STAGE)  発行年: 2017年 
JST資料番号: L3098A  ISSN: 1341-8939  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 日本 (JPN)  言語: 英語 (EN)
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我々は,0.18μm1ポリ6金属(1P6M)CMOS技術をベースにしたCMOSマイクロエレクトロメカニカルシステム(CMOS-MEMS)多層赤外線(IR)エミッタの新規設計について報告する。電気機械的接触点の位置は,IRエミッタプレート上で最適化され,熱伝導を向上させ,それにより少なくとも1.6kHzまでの応答速度を改善する。集積回路上に懸架されたMEMS IRエミッタのダブルデッキ構造は,ポストCMOSプロセスと互換性があり,高い充填率および高い放射輝度のIRエミッタを開発するのに有益である。エミッタプレートでは,1.4kオーム/発熱抵抗体はチェーンを介してタングステンで構成され,エミッタの動作電流を可能な限り小さくします。可能なポストCMOS MEMSプロセスは,デザインルールに違反することなく提案され,ほとんどのCMOSテクノロジとの互換性を維持します。最後に,最適な接触位置を有するマイクロエミッタの熱放射特性のシミュレーションを用いて動作速度の向上を検証する。(翻訳著者抄録)
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著者キーワード (4件):
分類 (2件):
分類
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光源  ,  固体デバイス製造技術一般 
引用文献 (19件):
  • (1) T.-V. Dinh, I.-Y. Choi, Y.-S. Son, and J.-C. Kim : “A review on non-dispersive infrared gas sensors: Improvement of sensor detection limit and interference correction”, Sensor and Actuators B, Vol. 231, pp. 529-538 (2016)
  • (2) J. Hodgkinson and R. P. Tatam : “Optical gas sensing: a review”, Meas. Sci. Technol, Vol. 24, No. 1, pp. 1-59 (2013)
  • (3) A. Elia, P. M. Lugarà, C. D. Franco, and V. Spagnolo : “Photoacoustic Techniques for Trace Gas Sensing Based on Semiconductor Laser Sources”, Sensors, Vol. 9, pp. 9616-9628 (2009)
  • (4) W. Konz, J. Hildenbrand, M. Bauersfeld, S. Hartwig, A. Lambrecht, V. Lehmann, and J. Wöllenstein : “Micromachined IR-source with excellent blackbody like behaviour”, Proc. SPIE, Vol. 5836, pp. 540-548 (2005)
  • (5) K. Schmitt, A. Müller, J. Huber, S. Busch, and J. Wöllenstein : “Compact photoacoustic gas sensor based on broadband IR source”, Procedia Engineering, Vol. 25, pp. 1081-1084 (2011)
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