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J-GLOBAL ID:201702263507874851   整理番号:17A0097169

2ΜM INGAASSB/ALGAASSB二重導波路半導体レーザの構造設計【JST・京大機械翻訳】

Simulation Analysis of 2 μm InGaAsSb/AlGaAsSb Laser Diode with Dual Waveguide
著者 (6件):
資料名:
巻: 45  号:ページ: 0914001-1-0914001-5  発行年: 2016年 
JST資料番号: W1500A  ISSN: 1004-4213  CODEN: GUXUED  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 中国 (CHN)  言語: 中国語 (ZH)
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2ΜMのINGAASSB/ALGAASSB半導体レーザの最大出力を改善するために,単一モード安定出力を実現した。対称構造に基づいて,ガイド構造を有する2ΜMのINGAASSB/ALGAASSBレーザダイオードを設計した。同時に,関連する物理モデルとSIMLASTIPプログラム言語を利用してINGAASSB/ALGAASSB マクロファイルを構築した。SIMLASTIPソフトウェアを用いて,異なる構造をもつ2ΜMのINGAASSB/ALGAASSB半導体レーザの数値シミュレーションを行った。研究結果により、二重導波路構造は半導体レーザーの活性制限因子を0.019 2から0.011 3に減少させ、デバイスの最大出力パワーは1.7倍に増加し、遠方場垂直発散角は57°から48°に減少し、デバイスの性能は改善された。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】
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, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (1件):
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半導体レーザ 
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