パルスレーザ堆積CdS薄膜及びCdS/CdTe太陽電池の特性に及ぼすCdCl<sub>2</sub>アニーリング温度の影響

LU Hongting; LIU Bo; HE Siying; LIU Jiyang; LIU Xiaolan; LI Bing; ZHANG Jingquan; LI Wei; WU Lili; WANG Wenwu; FENG Lianghuan

文献

J-GLOBAL ID：201702263546015723 整理番号：17A0900450

パルスレーザ堆積CdS薄膜及びCdS/CdTe太陽電池の特性に及ぼすCdCl₂アニーリング温度の影響

Effects of CdCl₂ annealing temperatures on the properties of pulsed laser deposited CdS thin films and CdS/CdTe solar cells

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資料名：
巻： 28 号： 13 ページ： 9828-9835 発行年： 2017年07月
JST資料番号： W0003A ISSN： 0957-4522 CODEN： JMTSAS 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

ここでは,パルスレーザ堆積CdS膜の品質を改善するために,CdCl₂中でのポストアニーリングプロセスを適用し,アニーリング温度がCdS膜の品質に及ぼす影響を研究した。CdS薄膜の粒子サイズは,アニーリングプロセス後に明らかに増加し,CdS膜の結晶性と光学透過性能が同様に増加することが示唆された。その上,アニーリングしたCdSウインドウ層を持つCdTe太陽電池は,より良い性能を示した。付け加えると,アニーリング温度は,アニーリングプロセスにおける重要な要素である。比較的高いアニーリング温度では,凝塊が膜表面の一部に発生し,その結果,より粗い表面となる。このことを考慮すると420°Cが,最適アニーリング温度である可能性が高い。その理由として,この温度でアニーリングしたCdS層が,良好な結晶性,光学透過性能及び比較的平滑な表面を持つだけでなく,このウインドウ層を持つ光起電力デバイスが,全ての試料中で最良の性能を示すことが挙げられる。そして,このドット電池の最良効率は,12.37%である。

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半導体薄膜 , 太陽電池

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パルスレーザ堆積CdS薄膜及びCdS/CdTe太陽電池の特性に及ぼすCdCl2アニーリング温度の影響

パルスレーザ堆積CdS薄膜及びCdS/CdTe太陽電池の特性に及ぼすCdCl₂アニーリング温度の影響