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J-GLOBAL ID:201702263667334865   整理番号:17A0449593

CIGS太陽電池の性能に及ぼす電着積層Cu/In/Ga層の厚さを減少させることの影響【Powered by NICT】

The impact of reducing the thickness of electrodeposited stacked Cu/In/Ga layers on the performance of CIGS solar cells
著者 (12件):
資料名:
巻: 162  ページ: 114-119  発行年: 2017年 
JST資料番号: D0513C  ISSN: 0927-0248  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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本研究では,2μmから370nmの範囲の厚さを有するCu(In,Ga)Se_2(CIGS)吸収体をCu-In-Gaの電着とそれに続く純Se雰囲気下でのアニーリングを用いて二段階プロセスによって調製した。組成特性化に基づいて,前駆体の厚さを減少させるためには,薄膜の組成と蒸着パラメータに作業なしでCu-In-Ga層の蒸着時間を短縮するために十分でないことを示した。アニーリング条件の最適化後,吸収体の性質と三つの異なる厚さ(2μm,0.7μmと0.37μm)を持つ太陽電池を比較した。,厚さの減少,従ってJ_SCの減少にもかかわらず,超薄CIGS電着した太陽電池のV_OCは電着した吸収体のGa含有量の増加により改善できることを示した。0.37μmの非常に薄い吸収体層から意図的な光トラッピングと反射防止被覆なしでは,67%の19mA/cm~2とFFのJ_SC,685mVのV_OCで,8.7%の収率が達成された。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
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太陽電池 
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