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J-GLOBAL ID：201702263715694590   整理番号：17A1729631

高EMI免疫によるロバストなCMOSミラー演算増幅器【Powered by NICT】

A robust CMOS miller OpAmp with high EMI-immunity

著者 (3件)： Boyapati Subrahmanyam (IITB-Monash Research Academy, Indian Institute of Technology Bombay, India) ,  Redoute Jean-Michel (Dept. of Electrical and Computer Systems Eng., Monash University, Melbourne, Australia) ,  Baghini Maryam Shojaei (Dept. of Electrical Engineering, Indian Institute of Technology Bombay Mumbai, India)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： EMC Europe  ページ： 1-6  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,電磁干渉(EMI)に対する高い耐性を持つロバストなCMOS Millerオペアンプ(演算増幅器)を提案した。広範囲の周波数(10MHzから1GHz)を横切る高EMI耐性を達成するために提案したロバストCMOSミラー演算増幅器はソース変性抵抗性源緩衝Miller演算増幅器で修飾したレプリカミラー演算増幅器の概念を用いた。シミュレーション結果は,1Vpp EMI信号は,非反転入力に注入される時,提案したロバストCMOSミラー演算増幅器の最大EMI誘起入力オフセット電圧を広範囲の周波数(10MHzから1GHz)で5mV以下であることを示した。対照的に,古典的なミラー演算増幅器は同じ操作条件下で1GHzで216mVの最大出力オフセット電圧を発生する。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *ロバスト性 ,  *CMOS ,  *演算増幅器 ,  シミュレーション ,  周波数 ,  電磁干渉
準シソーラス用語： オフセット電圧 ,  最大出力 ,  操作条件 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 増幅回路  (NC05040U)

タイトルに関連する用語 (6件)： EMI ,  免疫 ,  ロバスト ,  CMOS ,  ミラー ,  演算増幅器