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J-GLOBAL ID：201702263771038309   整理番号：17A1350294

黒リン電界効果トランジスタの性能に及ぼす電子ビーム照射の影響【Powered by NICT】

Effect of electron beam irradiation on black phosphorus field effect transistor performance

著者 (4件)： Goyal Natasha (Dept. of Electrical Engineering, IIT Bombay, Powai, Mumbai, India - 400076) ,  Kaushik Naveen (Dept. of Electrical Engineering, IIT Bombay, Powai, Mumbai, India - 400076) ,  Jawa Himani (Dept. of Electrical Engineering, IIT Bombay, Powai, Mumbai, India - 400076) ,  Lodha Saurabh (Dept. of Electrical Engineering, IIT Bombay, Powai, Mumbai, India - 400076)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： DRC  ページ： 1-3  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 優れたキャリア輸送特性種々のトランジスタへの応用を約束するために,黒リン(BP)は,近年多大の研究的関心が高まっている。固有の直接およびかなりのバンドギャップとともに高い移動度値は,オプトエレクトロニクスと柔軟なデバイス用に非常に魅力的である。しかし,BPと電子ビームとの相互作用を実験的に調べられていない。電子ビーム2D材料,デバイス品質を損なう可能性があるにおける欠陥と構造変化を誘導することが知られている[5 4]。BPデバイスに及ぼす電子ビーム照射の影響の研究を,透過型電子顕微鏡(TEM)と走査電子顕微鏡(SEM)のような種々の画像技術におけるその広がり,及び電子ビームリソグラフィー(EBL)のような加工技術のために極めて重要である。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *電子照射 ,  走査電子顕微鏡 ,  移動度 ,  品質 ,  画像技術 ,  オプトエレクトロニクス ,  *黒リン ,  *トランジスタ ,  電子ビームリソグラフィー ,  *電子ビーム ,  *FET【トランジスタ】 ,  透過型電子顕微鏡 ,  バンドギャップ ,  相互作用
準シソーラス用語： キャリア輸送 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 塩基,金属酸化物  (CD01030Z) ,  顕微鏡法  (BK01040E)

タイトルに関連する用語 (3件)： 黒リン ,  電界効果トランジスタ ,  電子ビーム照射