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J-GLOBAL ID：201702263896769605   整理番号：17A1569671

3D IC性能に及ぼすスルーシリコンビアコアの異なる形状の影響【Powered by NICT】

Impacts of different shapes of through-silicon-via core on 3D IC performance

著者 (3件)： Yousuf Abdul Hamid Bin (Computer Science and Electrical Engineering, University of Missouri - Kansas City, Kansas City, MO 64110, USA) ,  Hossain Nahid M. (Computer Science and Electrical Engineering, University of Missouri - Kansas City, Kansas City, MO 64110, USA) ,  Chowdhury Masud H. (Computer Science and Electrical Engineering, University of Missouri - Kansas City, Kansas City, MO 64110, USA)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： ISCAS  ページ： 1-4  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 3D IC技術では,シリコン貫通ビア(TSV)はチップの層の間の電力と信号を分配するのに用いる一次媒体である。近傍における多数TSVの配置はintereferencesとクロストークに起因する性能劣化をもたらした。TSVのコアは通常円柱形状。本論文では,TSVのコアのための異なる形状はTSV設計の反射損失と挿入損失のような種々の損失を低減できることを最良の可能な形状と構造を見出すために研究した。コアのための円形,長方形,八角形とhexadecagonal形状を調べた。シミュレーション結果は,長方形TSVの性能は他の多角形TSVと従来の円形TSVよりも優れていることを示した。も二TSV間のE場とH場結合を評価するためにシミュレーションを行った。これら二はTSVのための重要な性能パラメータである。TSVの性能はその形状を表す多角形におけるセグメント数の増加と共に劣化すると考えられる。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 電力 ,  円柱 ,  媒質 ,  挿入損 ,  *三次元 ,  クロストーク ,  シミュレーション
準シソーラス用語： 性能劣化 ,  シリコン貫通ビア , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (5件)： プリント回路  (NA05040O) ,  集積回路一般  (NC03161C) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  接続部品  (NA05050Z) ,  固体デバイス材料  (NC03020K)

タイトルに関連する用語 (2件)： 3D ,  IC