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J-GLOBAL ID：201702263920538610   整理番号：17A1259663

14nm FinFET CMOSにおける5Gフェイズドアレイのための73GHz電力増幅器【Powered by NICT】

A 73GHz PA for 5G phased arrays in 14nm FinFET CMOS

著者 (3件)： Callender Steven (Intel Labs, Hillsboro, OR, United States of America) ,  Pellerano Stefano (Intel Labs, Hillsboro, OR, United States of America) ,  Hull Christopher (Intel Labs, Hillsboro, OR, United States of America)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： RFIC  ページ： 402-405  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： インテル14nm FinFET/3ゲートCMOSプロセスにおけるEバンドPAの設計を提示した。デバイスレイアウト最適化を使用して,ミリ波周波数でのデバイス性能を最大化し,RF性能へのスケーリングの影響を克服した。中和と低k変圧器ベース整合回路網を用いて,利得と帯域幅を改善した。PAは8.5低gain/high利得モードにおけるGHz/7~12.4GHzの帯域幅をもつ11.9~71GHzでdB/16 7dBのピーク利得を達成した。71GHzで,測定したPsat,OP_1dBとピークPAEが7.3dBm,1.6dBm,8.3%であった。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *電力増幅器 ,  EHF波 ,  *CMOS ,  利得 ,  周波数 ,  帯域幅 ,  変圧器 ,  *フェイズドアレイ
準シソーラス用語： 整合回路網 ,  Eバンド ,  CMOSプロセス ,  *FinFET , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 増幅回路  (NC05040U) ,  マイクロ波・ミリ波通信  (ND08020W)

タイトルに関連する用語 (5件)： FinFET ,  CMOS ,  5G ,  フェイズドアレイ ,  電力増幅器