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J-GLOBAL ID：201702263946107117   整理番号：17A0449555

高温での効率的な光熱変換のための半導性βFeSi_2に基づく太陽選択性吸収体【Powered by NICT】

Solar-selective absorbers based on semiconducting β-FeSi₂ for efficient photothermal conversion at high temperature

著者 (7件)： Okuhara Yoshiki (Japan Fine Ceramics Center, 2-4-1 Mutsuno, Atsuta-ku, Nagoya, Aichi 456-8587, Japan) ,  Yokoe Daisaku (Japan Fine Ceramics Center, 2-4-1 Mutsuno, Atsuta-ku, Nagoya, Aichi 456-8587, Japan) ,  Kato Takeharu (Japan Fine Ceramics Center, 2-4-1 Mutsuno, Atsuta-ku, Nagoya, Aichi 456-8587, Japan) ,  Suda Seiichi (Japan Fine Ceramics Center, 2-4-1 Mutsuno, Atsuta-ku, Nagoya, Aichi 456-8587, Japan) ,  Takata Masasuke (Japan Fine Ceramics Center, 2-4-1 Mutsuno, Atsuta-ku, Nagoya, Aichi 456-8587, Japan) ,  Noritake Kazuto (Toyota Industries Corporation, Kyowa Plant, 8 Chaya, Kyowa-cho, Obu, Aichi 474-9180, Japan) ,  Sato Akinori (Toyota Motor Corporation, Higashifuji Technical Center, 1200 Mishuku, Susono, Shizuoka 410-1193, Japan)
資料名： Solar Energy Materials and Solar Cells  (Solar Energy Materials and Solar Cells)
巻： 161  ページ： 240-246  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0513C  ISSN： 0927-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： βFeSi_2含有SiO_2複合材料による太陽吸収多層膜は低放射率Moベース層上に堆積し,光反射率スペクトルは,太陽熱変換効率を研究するために求めた。βFeSi_2のバンド間吸収は,近赤外領域で低赤外吸収への高い太陽吸収から急な遷移曲線と望ましい選択吸収挙動を提供した。SiO_2マトリックス中に分散したβFeSi_2ナノ粒子は750°Cでのアニーリング後も安定であり,複合膜の光学定数スペクトルはβFeSi_2含有量を調整することにより制御可能であった。βFeSi_2とMoベース層の間の界面はSiの拡散のために低い熱安定性を持っていたが,中間層での薄いSiO_2障壁は相互作用を抑制するのに有効であった。以上の所見は設計した多層「SiO_2/βFeSi_2+SiO_2複合材料/SiO_2barrier/Mo塩基」の光吸収スペクトルは,700°C以下で高い温度で72.3%以上の高い変換効率を達成したに統合した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： モリブデン ,  焼なまし ,  反射スペクトル ,  界面 ,  多層膜 ,  複合膜 ,  *太陽 ,  *ケイ素 ,  放射率 ,  *高温 ,  光学定数 ,  *吸収体 ,  熱安定性 ,  ナノ粒子
準シソーラス用語： 変換効率 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 熱集熱器要素 ,  選択的吸収体 ,  半導体 ,  シリサイド ,  光学的性質

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (5件)： 光熱変換 ,  半導性 ,  太陽 ,  選択性 ,  吸収体