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J-GLOBAL ID:201702263950469906   整理番号:17A1771576

Cu_2SnS_3におけるコバルトドーピング:相転移とバンド構造修飾の相乗作用による増強された熱電性能【Powered by NICT】

Cobalt-doping in Cu2SnS3: enhanced thermoelectric performance by synergy of phase transition and band structure modification
著者 (11件):
資料名:
巻:号: 44  ページ: 23267-23275  発行年: 2017年 
JST資料番号: W0204B  ISSN: 2050-7488  CODEN: JMCAET  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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光起電力場で集中的に研究されてきたMohite型三元硫化物Cu_2SnS_3は最近,優れたp型環境に優しい熱電材料として注目されている。本研究では,結晶構造に及ぼすd軌道非充填遷移金属(Co)ドーピングの顕著な相乗効果とCu_2SnS_3の電気的/熱的性質を報告した。,単斜晶から立方晶へと正方晶転移だけでなく階層構造(Cu-Sナノ析出物,金属とS空孔,およびナノスケールも積層欠陥)の生成を含む,Coドーピングによる結晶構造の変化は結合軟化と強化されたフォノン散乱に関連している。このように,323Kで723Kで0.33W m~ 1K~ 1~0.90Wm~ 1K~ 1の超低格子熱伝導率が得られた。さらに,増加した有効質量は,価電子帯におけるCoの3d状態の寄与から誘導された固有Cuの3d及び3p状態への,最適ドーピングで顕著な力率(723Kで0.94mW m~ 1K~ 2 0.20)をもたらした。結果として,723Kで~0.85の高いZTは,最先端の中間温度環境に優しい硫化熱電材料のレベルに修飾Cu_2SnS_3を上昇させる。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】
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分類 (5件):
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熱電デバイス  ,  塩  ,  その他の無機化合物の電気伝導  ,  半導体結晶の電気伝導  ,  電気化学一般 

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