正確および傾斜Ge/Si(001)基板上にMOCVD成長させたInGaAs/GaAs/AlGaAsレーザ構造の誘導放出について

ALESHKIN V. Ya.; ALESHKIN V. Ya.; BAIDUS N. V.; DUBINOV A. A.; DUBINOV A. A.; KRASILNIK Z. F.; KRASILNIK Z. F.; NEKORKIN S. M.; NEKORKIN S. M.; NOVIKOV A. V.; NOVIKOV A. V.; RYKOV A. V.; YURASOV D. V.; YURASOV D. V.; YABLONSKIY A. N.

文献

J-GLOBAL ID：201702264059078748 整理番号：17A0953637

正確および傾斜Ge/Si(001)基板上にMOCVD成長させたInGaAs/GaAs/AlGaAsレーザ構造の誘導放出について

On the Stimulated Emission of InGaAs/GaAs/AlGaAs Laser Structures Grown by MOCVD on Exact and Inclined Ge/Si(001) Substrates

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Semiconductors (Semiconductors)

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巻： 51 号： 5 ページ： 663-666 発行年： 2017年05月
JST資料番号： T0093A ISSN： 1063-7826 CODEN： SMICES 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

抄録/ポイント：

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InGaAs量子井戸を持つInGaAs/GaAs/AlGaAsレーザ構造を,正確なSi(001)基板(011)軸に向けて4°傾けかつゲルマニウムバッファ層を挟んだ基板上へのMOCVDで成長させたが,それはバルクシリコンの透明領域(室温で波長が1100nm超)で発光する。正確および傾斜基板上で成長させたものについて観測した誘導放出の閾値パワー密度はそれぞれ45と37kW/cm²であった。

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