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J-GLOBAL ID：201702264093999484   整理番号：17A1646228

埋設多重ゲートInAsナノワイヤFET【Powered by NICT】

Buried multi-gate InAs-nanowire FETs

著者 (4件)： Grap Thomas (Institute of Semiconductor Electronics, RWTH Aachen University, 52056 Aachen, Germany) ,  Riederer F. (Institute of Semiconductor Electronics, RWTH Aachen University, 52056 Aachen, Germany) ,  Gupta C. (Institute of Semiconductor Electronics, RWTH Aachen University, 52056 Aachen, Germany) ,  Knoch J. (Institute of Semiconductor Electronics, RWTH Aachen University, 52056 Aachen, Germany)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： ESSDERC  ページ： 82-85  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： は,ナノスケールでの半導性ナノワイヤ/チューブにおける潜在的景観を調整することを可能にするマルチゲート電界効果トランジスタを研究した。この目的のために,damascenelikeプロセスを個別に接触したゲート構造を作製可能にし,量子効果を利用するデバイス内の潜在的な景観の実現を可能にする10nm以下の長さと統合距離を示すことを採用した。マルチゲート構造の機能性は,InAsナノワイヤFETを用いた実験的に示した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 量子効果 ,  FET【トランジスタ】 ,  *ヒ化インジウム ,  *ナノワイヤ ,  半導性
準シソーラス用語： 機能性 ,  マルチゲート ,  ナノスケール ,  *ナノワイヤトランジスタ ,  *多重ゲート , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (4件)： 埋設 ,  多重ゲート ,  InAs ,  ナノワイヤFET