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J-GLOBAL ID：201702264098482693   整理番号：17A1563690

ひ素りんの座屈と非対称洗濯板相の点欠陥:第一原理研究【Powered by NICT】

Point defects in buckled and asymmetric washboard phases of arsenic phosphorus: A first principles study

著者 (4件)： Benam Z.H. (Department of Physics Engineering, Ankara University, Ankara, Turkey) ,  Arkin H. (Department of Physics Engineering, Ankara University, Ankara, Turkey) ,  Aktuerk E. (Department of Physics, Adnan Menderes University, 09100 Aydin, Turkey) ,  Aktuerk E. (Nanotechnology Application and Research Center, Adnan Menderes University, 09100 Aydin, Turkey)
資料名： Computational Materials Science  (Computational Materials Science)
巻： 140  ページ： 290-298  発行年： 2017年 
JST資料番号： W0443A  ISSN： 0927-0256  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 一般化勾配近似を用いた密度汎関数理論の枠内で第一原理平面波法に基づいて,著者らはAsPの単層相の電子的および磁気的性質に及ぼす点欠陥の影響を調べた。AsPの座屈と非対称洗濯板構造のこれらの特性は,単一および二重空格子点,アンチサイトと置換を含む点欠陥の各種により修飾されることを予測した。単層座屈したAsP構造は半導体特性を示すが,点欠陥の存在下で金属または狭いバンドギャップ半導体のいずれかとなる。一方,非磁性直接ギャップ半導体非対称洗濯板AsPは欠陥生成に金属的であることが分かった。点欠陥のすべての生成は正味の磁気モーメント,P空格子点をもつAsPの不斉洗濯板相を除いてゼロた。P単一空格子点の緩和構造に対するμ=1.19μBを計算した。著者らの結果は,点欠陥によって官能化されたAsPの自立単層相はAsPベーススピントロニクス素子間の相互連結として役立つことができることを示した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *非対称性 ,  *洗濯 ,  磁気モーメント ,  密度汎関数法 ,  *ヒ素 ,  相互接続 ,  半導体 ,  *点欠陥 ,  平面波 ,  *リン ,  バンドギャップ ,  *第一原理 ,  官能化 ,  単一層
準シソーラス用語： 一般化勾配近似 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (3件)： ひ素りん座屈と洗濯板 ,  点欠陥 ,  密度汎関数理論

分類 (2件)： 半導体結晶の電子構造  (BM02060N) ,  金属結晶の電子構造  (BM02050C)

タイトルに関連する用語 (8件)： ひ素 ,  りん ,  座屈 ,  非対称 ,  洗濯 ,  点欠陥 ,  第一原理 ,  研究