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J-GLOBAL ID:201702264180616169   整理番号:17A1272689

電磁干渉を評価するためのSiC-MOSFETを用いた85kHzで動作する磁場発生装置の設計【Powered by NICT】

Design of magnetic field generator operating at 85 kHz using SiC-MOSFETs for evaluating electromagnetic interference
著者 (3件):
資料名:
巻: 2017  号: IFEEC 2017 - ECCE Asia  ページ: 412-416  発行年: 2017年 
JST資料番号: W2441A  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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最近,誘導加熱システムの使用は,増加しており,電気自動車のための無線電力伝送システムも開始されている。これらの応用は,100kHzで運転され,電気機器や人体に近いように設計されている。,交流磁場の影響を議論し,他の機器への電磁干渉を評価することが重要である。電磁intereferencesを評価するために使用された磁場発生器の設計と実装を提示した。磁場発生器は,SiC-MOSFETと空心インダクタを用いた単相インバータ回路から構成されている。本論文では特に,コイル構造とインバータ回路の設計法を論じた。82kHzと100Aで提案したシステムの実験結果を示した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】
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分類 (5件):
分類
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雑音一般  ,  電源回路  ,  屋内配電・電源設備  ,  送電  ,  送配電一般 

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