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J-GLOBAL ID：201702264225672101   整理番号：17A1829957

紫外線近赤外領域への応答を用いた高感度低バンドギャップペロブスカイト光検出器【Powered by NICT】

Highly Sensitive Low-Bandgap Perovskite Photodetectors with Response from Ultraviolet to the Near-Infrared Region

著者 (15件)： Wang Wenbin (Key Laboratory of Luminescence and Optical Information, Ministry of Education, Beijing Jiaotong University, Beijing, 100044, P. R. China) ,  Zhao Dewei (Department of Physics and Astronomy and Wright Center for Photovoltaics Innovation and Commercialization, The University of Toledo, Toledo, OH, 43606, USA) ,  Zhang Fujun (Key Laboratory of Luminescence and Optical Information, Ministry of Education, Beijing Jiaotong University, Beijing, 100044, P. R. China) ,  Li Ludong (State Key Laboratory for Superlattices and Microstructures, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing, 100083, P. R. China) ,  Du Mingde (National Center for Nanoscience and Technology, Beijing, 100190, P. R. China) ,  Wang Changlei (Department of Physics and Astronomy and Wright Center for Photovoltaics Innovation and Commercialization, The University of Toledo, Toledo, OH, 43606, USA) ,  Yu Yue (Department of Physics and Astronomy and Wright Center for Photovoltaics Innovation and Commercialization, The University of Toledo, Toledo, OH, 43606, USA) ,  Huang Qianqian (Department of Physics and Astronomy and Wright Center for Photovoltaics Innovation and Commercialization, The University of Toledo, Toledo, OH, 43606, USA) ,  Zhang Miao (Key Laboratory of Luminescence and Optical Information, Ministry of Education, Beijing Jiaotong University, Beijing, 100044, P. R. China) ,  Li Lingliang (Key Laboratory of Luminescence and Optical Information, Ministry of Education, Beijing Jiaotong University, Beijing, 100044, P. R. China) ,  Miao Jianli (Key Laboratory of Luminescence and Optical Information, Ministry of Education, Beijing Jiaotong University, Beijing, 100044, P. R. China) ,  Lou Zheng (State Key Laboratory for Superlattices and Microstructures, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing, 100083, P. R. China) ,  Shen Guozhen (State Key Laboratory for Superlattices and Microstructures, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing, 100083, P. R. China) ,  Fang Ying (National Center for Nanoscience and Technology, Beijing, 100190, P. R. China) ,  Yan Yanfa (Department of Physics and Astronomy and Wright Center for Photovoltaics Innovation and Commercialization, The University of Toledo, Toledo, OH, 43606, USA)
資料名： Advanced Functional Materials  (Advanced Functional Materials)
巻： 27  号： 42  ページ： ROMBUNNO.201703953  発行年： 2017年 
JST資料番号： W1336A  ISSN： 1616-301X  CODEN： AFMDC6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： それは最も使用頻度の多いメチルアンモニウムハロゲン化鉛ペロブスカイトの比較的大きなバンドギャップによる広帯域応答ペロブスカイト光検出器(PPD)を得るために大きな挑戦である。報告されたPPDの応答範囲は紫外-可視領域に限られている。,高感度PPDは活性層として低バンドギャップ(≒1.25 eV)(FASnI_3)0.6(MAPbI_3)0.4ペロブスカイトを用いて作製した,300~1000nmの広帯域応答を示すことに成功した。PPDの性能はペロブスカイトとC_60層の厚みを調整することによって最適化することができる。厚さ1000nmのペロブスカイト層と70nm厚のC_60層を持つ最適化されたPPDは 0.2Vバイアス下で65%以上のEQEと350から900nmにほぼ平坦な外部量子効率(EQE)スペクトルを示した。一方,最適化されたPPDは, 0.2Vで近赤外領域における10を超える~12Jonesの3.9nAの抑制された暗電流,0.4A W~ 1の高い応答性(R),高い比検出能(D*)を示した。このような高感度広帯域応答PPD,自己出力条件としてうまく動作することができる,多色光検出への大きな応用可能性を提供する。Copyright 2017 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *光検出 ,  最適化 ,  暗電流 ,  バイアス ,  広帯域 ,  活性層 ,  *光検出器 ,  *高感度 ,  *バンドギャップ ,  *紫外線 ,  応答特性
準シソーラス用語： 外部量子効率 ,  可視領域 ,  *近赤外領域 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 広帯域応答 ,  低暗電流 ,  混合すず-鉛よう化物ペロブスカイト ,  ペロブスカイト光検出器

分類 (2件)： 太陽電池  (NC03084O) ,  分析機器  (CC02020S)

物質索引 (1件)： メチルアンモニウム

タイトルに関連する用語 (5件)： 紫外線 ,  近赤外領域 ,  応答 ,  高感度 ,  光検出器