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J-GLOBAL ID：201702264282183149   整理番号：17A0928341

NiドープHoFeO₃薄膜の電子励起誘起構造的,光学的,磁気的性質

Electronic excitation-induced structural, optical, and magnetic properties of Ni-doped HoFeO₃ thin films

著者 (7件)： HABIB Zubida (National Inst. of Technol., Srinagar, IND) ,  IKRAM Mohd. (National Inst. of Technol., Srinagar, IND) ,  SULTAN Khalid (Central Univ. Kashmir, Srinagar, IND) ,  ABIDA (Govt Degree Coll. for Women, Kashmir, IND) ,  MIR Sajad A. (National Inst. of Technol., Srinagar, IND) ,  MAJID Kowsar (National Inst. of Technol., Srinagar, IND) ,  ASOKAN K. (Inter Univ. Accelerator Centre, New Delhi, IND)
資料名： Applied Physics. A. Materials Science & Processing  (Applied Physics. A. Materials Science & Processing)
巻： 123  号： 6  ページ： 442.1-442.10  発行年： 2017年06月 
JST資料番号： D0256C  ISSN： 0947-8396  CODEN： APHYCC  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： NiドープHoFeO₃薄膜を作製し,Niドーピング及び電子励起による物理的性質の変化を調べた。薄膜はLaAlO₃基板上のパルスレーザ堆積により作製され,電子励起は200MeVのAg¹²⁺イオンビーム照射により行われた。X線回折解析は,薄膜が斜方晶構造を持つこと,Niドーピングにより歪と半値全幅が増大すること,イオン照射後に結晶子サイズが減少することを示した。原子間力顕微鏡画像は,イオン照射が表面の粗度と形態を大きく変えることを示した。吸収スペクトルは,光学バンドギャップがNiドーピングにより減少し,イオン照射後に増大することを示した。試料はすべて低温で強磁性を示し,磁化対磁場測定から,飽和磁化がNi濃度により変化し,イオン照射により増大することを示した。

シソーラス用語： *ホルミウム化合物 ,  *鉄酸塩 ,  *ニッケル ,  *ドーピング ,  磁性薄膜 ,  パルスレーザ蒸着 ,  *電子励起 ,  *イオン照射 ,  金属イオン ,  X線回折 ,  結晶構造 ,  原子間力顕微鏡 ,  表面粗さ ,  表面構造 ,  *光吸収スペクトル ,  *光学ギャップ ,  *強磁性 ,  飽和磁化 ,  濃度依存性 ,  *オルソフェライト ,  *磁化特性 ,  斜方晶系 ,  結晶粒度
準シソーラス用語： *イオンビーム照射 ,  銀イオン

分類 (4件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  その他の物質の放射線による構造と物性の変化  (BK16124V) ,  光物性一般  (BM08010A) ,  磁区・磁化過程一般  (BM06111M)

タイトルに関連する用語 (7件)： Ni ,  ドープ ,  薄膜 ,  電子励起 ,  誘起 ,  光学 ,  磁気的性質