文献

J-GLOBAL ID：201702264307810225   整理番号：17A1623913

UV光検出器への応用のためのZnO膜様pineconeの化学合成【Powered by NICT】

Chemical synthesis of pinecone like ZnO films for UV photodetector applications

著者 (4件)： Shaikh S.K. (Electrochemical Materials Laboratory, Department of Physics, Shivaji University, Kolhapur 416004, India) ,  Ganbavle V.V. (Department of Physics, Dattajirao Kadam Arts, Science and Commerce College, Ichalkaranji 416115, India) ,  Mohite S.V. (Electrochemical Materials Laboratory, Department of Physics, Shivaji University, Kolhapur 416004, India) ,  Rajpure K.Y. (Electrochemical Materials Laboratory, Department of Physics, Shivaji University, Kolhapur 416004, India)
資料名： Thin Solid Films  (Thin Solid Films)
巻： 642  ページ： 232-240  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0899A  ISSN： 0040-6090  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高度に選択的な金属-semiconductor-金属(MSM)紫外(UV)光検出器を松かさ形状酸化亜鉛(ZnO)膜に基づいて実証することに成功した。松かさ形状ZnO光検出器は吸着と反応法(SILAR)による連続的イオン層を介して合成した。接触電極としての銀(Ag)でMSM素子,デバイスの設計と試験における材料合成と利点の単純性を持っていた。SILAR法を用いた形態学的進化はOstwaldの熟成過程を含んでいる。電界放出型走査電子顕微鏡(FESEM)研究は,酸素分子の吸着のための高表面積を持つZnO構造のような松かさの形成を明らかにした。デバイスは5Vバイアス電圧で紫外線(UV)照射(出力密度1.8μWcm~ 2)下で良好な光応答およびスペクトル応答性を示した。365nm波長では,観察された最も高いピーク応答性は350.98A/Wであった。デバイスは金属半導体接合間の良好なオーミック接触を示した。著者らの発見は,低コスト,かつ高選択的UV光伝導検出器を作製するための新しい経路を提供した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *紫外線 ,  吸着 ,  半導体接合 ,  表面積 ,  *光検出器 ,  モルフォロジー ,  *酸化亜鉛 ,  Ohm接触 ,  *化学合成 ,  *検出器 ,  応答特性
準シソーラス用語： スペクトル応答 ,  出力密度 ,  バイアス電圧 ,  電界放出型走査電子顕微鏡 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (7件)： 酸化亜鉛 ,  吸着と反応法による連続イオン層 ,  金属-semiconductor-金属装置 ,  紫外光検出器 ,  Ostwaldの熟成 ,  Photoresponse ,  Sensitivity

分類 (5件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  半導体-金属接触  (BM03084G) ,  半導体薄膜  (BK14040E) ,  発光素子  (NC03082G) ,  太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (5件)： UV光 ,  検出器 ,  応用 ,  ZnO ,  化学合成