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J-GLOBAL ID：201702264310390889   整理番号：17A0991239

の活性化分子スピンタフェース

Activating the molecular spinterface

著者 (4件)： CINCHETTI Mirko (Technische Univ. Dortmund, Dortmund, DEU) ,  DEDIU V. Alek (Istituto per lo Studio dei Materiali Nanostrutturati CNRISMN, Bologna, ITA) ,  HUESO Luis E. (CIC nanoGUNE, San Sebastian, ESP) ,  HUESO Luis E. (IKERBASQUE, Bilbao, ESP)
資料名： Nature Materials  (Nature Materials)
巻： 16  号： 5  ページ： 507-515  発行年： 2017年05月 
JST資料番号： W1364A  ISSN： 1476-1122  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 文献レビュー  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Herbert Kroemerは,2000年のノーベル授業で「界面は神秘主義者である」と述べている。半導体産業の小型化の傾向は,界面特性がデバイス挙動にとって重要であるという認識に至り,また,優先的なスピントンネリングやスピン-電荷変換などの磁気やスピントロニクスに関連する研究と技術分野にも適用されている。そこで本稿では,新しい研究分野である分子スピンタフェースの無機金属/有機分子界面を調べた最近の研究報告をレビューした。まず,有機分子側(スピン依存化学吸着の結果として生じるスピン偏極ハイブリッド界面状態「HIS」の存在が見出された)について述べた。次に,無機金属側(結果としてHIP,スピン注入または分子磁気モーメントをもたらハイブリッド化分子軌道のエネルギー位置およびスピン偏極)について解説し,更に,無機強磁性体を越えた新しいスピン効果を引き出すための理想的なプラットフォームとしての界面について説明した。最後に,分子スピンタフェースのユニークな活性調整により実現可能な技術を概説した。

シソーラス用語： 電磁結合 ,  *有機化合物 ,  *金属 ,  *界面 ,  *スピントロニクス ,  *磁電素子 ,  *スピン分極 ,  表面準位 ,  注入 ,  磁気モーメント ,  分子軌道 ,  強磁性体 ,  磁気抵抗 ,  磁化特性 ,  バンド構造
準シソーラス用語： スピン磁気モーメント ,  スピン注入 ,  スピン偏極 ,  トンネル磁気抵抗 ,  ハイブリッド軌道 ,  *界面制御 ,  強磁性金属 ,  分子スピンタフェース ,  有機分子

分類 (2件)： 磁電デバイス  (NC03100X) ,  界面の電気的性質一般  (BM03081H)

タイトルに関連する用語 (2件)： 活性化 ,  分子スピン