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J-GLOBAL ID：201702264327590588   整理番号：17A1309776

金属膜付きおよびむき出しの(-201)Ga₂O₃におけるドライエッチ損傷のアニーリング

Annealing of dry etch damage in metallized and bare (-201) Ga₂O₃

著者 (13件)： Yang Jiancheng (Department of Chemical Engineering, University of Florida, Gainesville, Florida 32611) ,  Ren Fan (Department of Chemical Engineering, University of Florida, Gainesville, Florida 32611) ,  Khanna Rohit (Plasma-Therm, Saint Petersburg, Florida 33716) ,  Bevlin Kristen (Plasma-Therm, Saint Petersburg, Florida 33716) ,  Geerpuram Dwarakanath (Plasma-Therm, Saint Petersburg, Florida 33716) ,  Tung Li-Chun (Department of Electrical and Computer Engineering, Texas Tech. University, Lubbock, Texas 79409) ,  Lin Jingyu (Department of Electrical and Computer Engineering, Texas Tech. University, Lubbock, Texas 79409) ,  Jiang Hongxing (Department of Electrical and Computer Engineering, Texas Tech. University, Lubbock, Texas 79409) ,  Lee Jonathan (Department of Physics, University of Central Florida, Orlando, Florida 32816) ,  Flitsiyan Elena (Department of Physics, University of Central Florida, Orlando, Florida 32816) ,  Chernyak Leonid (Department of Physics, University of Central Florida, Orlando, Florida 32816) ,  Pearton S. J. (Department of Materials Science and Engineering, University of Florida, Gainesville, Florida 32611) ,  Kuramata Akito (Tamura Corporation and Novel Crystal Technology, Inc., Sayama, Saitama 350-1328, Japan)
資料名： Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena  (Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena)
巻： 35  号： 5  ページ： 051201-051201-5  発行年： 2017年09月 
JST資料番号： E0974A  ISSN： 2166-2746  CODEN： JVTBD9  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 単結晶(-201)配向βGa₂O₃の表面を,~700Åmin^-1の除去率を生ずる条件(13.56MHzの励起周波数,400Wの入力パワー,および-450Vの直流自己バイアス)下でBCl₃/Ar誘導結合プラズマ中でエッチングした。アニーリングステップ前または後に表面上に形成されたNi/AuのSchottkyダイオードのエッチング後に,400°Cか450°Cでのアニーリング行った。電流-電圧(I-V)測定を用いて,プラズマで損傷を受けたダイオードのアニーリング後のSchottky障壁高さ(Φ),ダイオード理想因子(n),および逆降伏電圧(V_RB)を導出した。エッチングおよびアニーリング後に金属膜を付けた試料では,450°Cでのアニーリングにより,Φ,n,とV_RBの値は参照値(エッチングなし)へと回復した。金属膜付きダイオードはどちらの温度での熱アニーリングでも,逆降伏電圧が劣化し,Ni/Auはこれらの温度でβGa₂O₃上で安定ではないことを示した。光ルミネセンスはエッチング損傷の導入後のバンド端近傍領域における全発光強度の減少を明らかにした。電子ビーム誘起電流測定は,少数キャリア拡散長について対照試料の350μmからエッチングされた試料中の311μmへの減少を示した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *酸化ガリウム ,  *ドライエッチング ,  *レーザ損傷 ,  *焼なまし ,  *誘導結合プラズマ ,  *Schottky障壁ダイオード ,  電流電圧特性 ,  Schottky障壁 ,  因子 ,  電圧
準シソーラス用語： アニーリング処理 ,  理想因子 ,  降伏電圧

分類 (3件)： 金属酸化物及び金属カルコゲン化物の結晶構造  (BK07020Y) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  半導体-金属接触  (BM03084G)

タイトルに関連する用語 (5件)： 金属膜 ,  Ga2O3 ,  エッチ ,  損傷 ,  アニーリング