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J-GLOBAL ID:201702264334158309   整理番号:17A0551738

SiO2/Si上2D InSeの光学コントラスト(OC)およびバンドパスフィルタを用いた透明基板

Optical contrast of 2D InSe on SiO2/Si and transparent substrates using bandpass filters
著者 (5件):
資料名:
巻: 28  号: 11  ページ: 115706,1-6  発行年: 2017年03月17日 
JST資料番号: W0108A  ISSN: 0957-4484  CODEN: NNOTER  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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InSeなどのIII-VI族金属カルコゲナイド半導体は,その特定の光学的および電子的特性のために,ここ数年,2D研究コミュニティで注目を集めている。本研究では,広範囲に使用されているSiO<sub>2</sub>(300nm)/Si基板上に堆積された2D InSeのOCは,約40nmまでのバンドパスフィルタを使用することで最適化することができ,量子閉じ込めが顕著になる(<12nm)フレーク厚さ範囲内でOCを向上させることを,理論的および実験的に実証した。このアプローチは,通常の光学顕微鏡検査システムへのバンドパスフィルタの容易な統合のために,優れた戦略であることが判明した。本研究の実験装置では,約500nmを中心とするバンドパスフィルタが上記基材上で最良のOC結果を与えたが,530nmを中心とするフィルタを使用することにより,OCのさらに高い増強が得られることが示唆された。
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分類 (3件):
分類
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金属酸化物及び金属カルコゲン化物の結晶構造  ,  光デバイス一般  ,  光学的測定とその装置一般 

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