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J-GLOBAL ID：201702264380027640   整理番号：17A1140075

基板温度を変化させて作製したZnOミストCVD膜の結晶性と発光特性

著者 (7件)： 中田克弥 (金沢工大 O.E.D.S.R&Dセ) ,  菅野剛志 (金沢工大 O.E.D.S.R&Dセ) ,  齋藤嘉騎 (金沢工大 O.E.D.S.R&Dセ) ,  佐伯祥吾 (金沢工大 O.E.D.S.R&Dセ) ,  山路郷史 (金沢工大 O.E.D.S.R&Dセ) ,  深田晴己 (金沢工大 O.E.D.S.R&Dセ) ,  山口敦史 (金沢工大 O.E.D.S.R&Dセ)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 78th  ページ： ROMBUNNO.6p-PA9-12  発行年： 2017年08月25日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *酸化亜鉛 ,  半導体薄膜 ,  *化学蒸着 ,  薄膜成長 ,  *基板温度 ,  *結晶度 ,  X線回折 ,  *光ルミネセンス ,  励起子 ,  紫外可視発光スペクトル ,  *ミストCVD

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (6件)： 基板温度 ,  作製 ,  ZnO ,  ミストCVD ,  結晶性 ,  発光特性