文献
J-GLOBAL ID:201702264485860774   整理番号:17A1710343

効率的な水素発生のための金属/半導体ヘテロ構造における電荷移動の光制御:光学遷移とSPR【Powered by NICT】

Light control of charge transfer in metal/semiconductor heterostructures for efficient hydrogen evolution: Optical transition versus SPR
著者 (7件):
資料名:
巻: 42  号: 43  ページ: 26713-26722  発行年: 2017年 
JST資料番号: B0192B  ISSN: 0360-3199  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
抄録/ポイント:
抄録/ポイント
文献の概要を数百字程度の日本語でまとめたものです。
部分表示の続きは、JDreamⅢ(有料)でご覧頂けます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
光誘起電荷移動はヘテロ構造の光触媒活性に影響する重要な因子の一つである。注目すべきことに,金属/半導体(M/S)ヘテロ構造における電荷移動の方向は金属の半導体と表面プラズモン共鳴(SPR)の光学遷移の観点から照射波長に関連している。基本光物理過程を理解するために,ここでは,グリシンの助けを借りてplasmonic/nonplasmonic metal/TiO_2複合材料の製造のための容易な二重ソルボサーマル経路を開発した。UV可視光照射すると,プラズモンmetal/TiO_2複合材料における光吸収の発生はTiO_2(紫外領域)とSPRプラズモン金属(Au,Ag,Cu,可視領域)の光学遷移に起因する,過渡吸収と光電流により確認の間の逆電荷移動を説明した。SPR効果の小さな寄与超高速電子-フォノン散乱が原因となった光生成電子にもかかわらず,逆電荷移動を増強するこれらヘテロ構造の光触媒性能を緩和することができる。固有光触媒機構を良く理解することは,高活性を有する洗練されたM/Sへテロ構造関連多元光触媒系の選択的構築への信頼性のある支援を提供する。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。

準シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (3件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
気体燃料の製造  ,  光化学一般  ,  電気化学反応 

前のページに戻る