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J-GLOBAL ID：201702264492044955   整理番号：17A0594686

希釈溶液前駆体を用いて作製された全溶液プロセスによるn-ZnOナノロッド/i-CdS/p-Cu₂Oダイオード

All-Solution Processed n-ZnO Nanorods/i-CdS/p-Cu₂O Diodes Prepared Using Diluted Solution Precursors

著者 (6件)： SHIN Jae Hui (Sungkyunkwan Univ., Gyeonggi-do, KOR) ,  KIM Joo Sung (Sungkyunkwan Univ., Gyeonggi-do, KOR) ,  BAEK Seung Ki (Sungkyunkwan Univ., Gyeonggi-do, KOR) ,  CHO Sung Woon (Sungkyunkwan Univ., Gyeonggi-do, KOR) ,  KIM Yun Seok (Sungkyunkwan Univ., Gyeonggi-do, KOR) ,  CHO Hyung Koun (Sungkyunkwan Univ., Gyeonggi-do, KOR)
資料名： Nanoscience and Nanotechnology Letters  (Nanoscience and Nanotechnology Letters)
巻： 9  号： 1  ページ： 45-49  発行年： 2017年01月 
JST資料番号： W2373A  ISSN： 1941-4900  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 全溶液プロセスを用いてn-ZnOナノロッドとp-Cu₂Oを電気化学的に作製し,整流特性を改善するため化学浴析出法により真正(i)-CdS層を作製した。i-CdSを作製する際,下地のZnOナノロッドの化学エッチングを抑制するため,pH値を下げた希釈溶液を使用した。このようにして,n-ZnOナノロッド/i-CdS/p-Cu₂OダイオードをITO被覆ソーダ石灰ガラス基板上に作製した。15%CdSO₄前駆体(pH=11)を使用して作製したn-i-pダイオードは,シャント抵抗が増加したためリーク電流が大幅に低減し,ダイオード特性および光電流性能を改善した。

シソーラス用語： *酸化亜鉛 ,  化合物半導体 ,  *ナノロッド ,  *硫化カドミウム ,  *酸化第一銅 ,  *ダイオード ,  基板 ,  ソーダ石灰ガラス ,  被覆 ,  *酸化インジウムスズ ,  *析出 ,  *整流 ,  溶液成長 ,  *ヘテロ接合
準シソーラス用語： *化学浴析出法 ,  *NIP接合

分類 (1件)： ダイオード  (NC03050R)

タイトルに関連する用語 (9件)： 希釈 ,  溶液 ,  前駆体 ,  作製 ,  プロセス ,  ZnOナノロッド ,  CdS ,  Cu2O ,  ダイオード