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J-GLOBAL ID:201702264546085031   整理番号:17A1526044

予備酸化ポリカルボシラン前駆体の変換によるSiCセラミックの誘電特性と吸収特性の研究を行った。【JST・京大機械翻訳】

Dielectric and microwave absorption properties of SiC ceramics derived from pre-oxidized polycarbosilane precursor
著者 (5件):
資料名:
巻: 48  号:ページ: 2153-2157  発行年: 2017年 
JST資料番号: C2095A  ISSN: 1001-9731  CODEN: GOCAEA  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 中国 (CHN)  言語: 中国語 (ZH)
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ポリカルボシラン(PCS)による予備酸化後に800~1200°Cで熱分解してSiCセラミックを調製し、フーリエ変換赤外分光法(FTIR)とラマン分光法により、異なる温度で架橋したPCSと熱分解生成物について特性化した。8.2~12.4GHz(Xバンド)の周波数帯におけるSiCセラミックの複素誘電率を矩形導波路法により測定し,試料の反射率を伝送線路理論により計算した。その結果,Si-H結合とSi-CH3結合が酸素架橋反応によりSi-OH結合を形成し,SiCセラミック中の自由炭素秩序度が熱分解温度の上昇と共に増加し,複素誘電率と虚数部の増加をもたらすことを示した。1200°Cで熱分解すると,試料の厚さが3.5mmのSiCセラミックの吸収ピーク値は-18dBであり,Xバンドの反射率は-10dBより低く,良好な吸収性能を示した。Data from Wanfang. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】
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セラミック・陶磁器の製造 

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