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J-GLOBAL ID：201702264584057071   整理番号：17A0760729

立方晶窒化ホウ素高指数面の作製とダイヤモンドヘテロ成長

著者 (5件)： 高見拓哉 (北大) ,  田村貴大 (北大) ,  柳瀬隆 (北大) ,  長浜太郎 (北大) ,  島田敏宏 (北大)
資料名： 日本セラミックス協会年会講演予稿集(CD-ROM)
巻： 2017  ページ： ROMBUNNO.1F19  発行年： 2017年03月01日 
JST資料番号： X0505B  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *セラミック ,  *窒化ホウ素 ,  *イオンエッチング ,  ウエハ【IC】 ,  *酸化ホウ素 ,  メルト ,  接着剤 ,  結晶方位 ,  接着 ,  改変 ,  *平坦性 ,  *指数 ,  *結晶面 ,  水素 ,  アルゴン ,  *ダイヤモンド ,  *プラズマCVD ,  *基板 ,  *表面処理 ,  *面指数 ,  シリコンウエハ ,  *CBN【セラミック】 ,  *鉱石 ,  *宝石 ,  アルカン
準シソーラス用語： イオンビーム研磨 ,  シリコン基板 ,  平坦化 ,  溶融物 ,  *立方晶窒化ホウ素

分類 (2件)： 固体デバイス材料  (NC03020K) ,  炭素とその化合物  (YB02060D)

物質索引 (1件)： メタン

タイトルに関連する用語 (4件)： 立方晶窒化ホウ素 ,  指数 ,  作製 ,  成長