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J-GLOBAL ID：201702264595274262   整理番号：17A0993061

In_xGa_1xSb_yAs_zN_1y Z,In_xGa_1xSb_yP_zN_1y zとIn_xGa_1xAs_yP_zN_1y z合金のスピノーダル分解領域【Powered by NICT】

Spinodal decomposition regions of In_xGa_1-xSb_yAs_zN_1-y-z, In_xGa_1-xSb_yP_zN_1-y-z and In_xGa_1-xAs_yP_zN_1-y-z alloys

著者 (1件)： Elyukhin Vyacheslav A. (Departamento de Ingenieria Electrica-SEES, CINVESTAV-IPN, Avenida Instituto Politecnico Nacional 2508, Col. San Pedro Zacatenco, Mexico C.P. 07360, Mexico)
資料名： Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 470  ページ： 42-45  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： デバイス応用のための材料として高度に不整合な半導体合金におけるかなりの関心が最近示されている。しかし,スピノーダル不安定性は,それらの使用に対して多大な障害になり得る。,III-V化合物に整合した希薄窒化物In_xGa_1xSb_yAs_zN_1y Z,In_xGa_1xSb_yP_zN_1y zおよびIn_xGa_1xAs_yP_zN_1y z五元合金格子のスピノーダル分解領域が0°Cから1000°Cまで研究した。合金は,構成化合物に対応する化学結合の六タイプを含み,原子の再配列は,それらの間の結合を変化させる。スピノーダル分解領域の大きさと位置は,構成化合物,内部歪エネルギー,整合ひずみエネルギーとエントロピーのエンタルピーに依存する。考慮した合金の中で,GaAsとInPに整合したInAsに整合したIn_xGa_1xSb_yAs_zN_1y z格子,GaPに整合したIn_xGa_1xSb_yP_zN_1y z格子とInPとIn_xGa_1xAs_yP_zN_1y z格子,デバイス用途に最も適している。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： エントロピー ,  半導体 ,  ヒ化インジウム ,  *合金 ,  エンタルピー ,  不安定性 ,  リン化ガリウム ,  *スピノーダル分解 ,  ヒ化ガリウム ,  窒化物 ,  歪エネルギー ,  不整合 ,  リン化インジウム ,  化学結合
準シソーラス用語： 内部歪 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： A1相図 ,  B1合金 ,  B1窒化物 ,  B2半導性ガリウム化合物 ,  B2半導性インジウム化合物

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (2件)： 合金 ,  スピノーダル分解